Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Hoja de datos
5.580En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 74 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
Hoja de datos
37.957En existencias
16.000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 260 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Hoja de datos
33.764En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 35 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 47.5 nC - 55 C + 150 C 35.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC
Hoja de datos
14.186En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 55 V 110 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 170 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level
Hoja de datos
228.716En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 10 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8.7 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
32.201En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 35 A 38 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 63 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8
Hoja de datos
25.930En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 19.7 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 69 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K
Hoja de datos
2.766En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 P-Channel 1 Channel 30 V 11.4 A 13.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.6 V 18 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
Hoja de datos
2.980En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 24 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43.1 nC - 55 C + 150 C 3.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
Hoja de datos
2.985En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 40 V 8 A 17.8 mOhms 20 V 2.5 V 6.5 nC + 175 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6M61-60P/SOT1210/mLFPAK
Hoja de datos
1.457En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

SMD/SMT P-Channel 60 V 27 A 100 mOhms - 2 V 1.7 V - 55 C + 175 C 99 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
2.945En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 Bulk
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
2.452En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 167 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 32 nC - 55 C + 175 C 191 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
Hoja de datos
130En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

OptiMOS Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
Hoja de datos
2.870En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms 20 V 2.5 V 3.2 nC + 175 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
Hoja de datos
160En existencias
200En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

OptiMOS Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 60V
Hoja de datos
576En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si Through Hole TO-251-3 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN1212 P-CH 20V 4A
Hoja de datos
3.015En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-1212-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 63 mOhms - 8 V, 8 V 1.2 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 1.1 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
Hoja de datos
2.900En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 3 A 95 mOhms 20 V 2.5 V 1.7 nC + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
4.390En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 100 V 13 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 43 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
Hoja de datos
4.586En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 115 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 102 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP
Hoja de datos
26.948En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 255A
Hoja de datos
1.985En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 255 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 27 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
36.900En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 60 V 7 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11.5 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 25V 320A
Hoja de datos
1.654En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56E-4 N-Channel 1 Channel 25 V 320 A 630 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 89 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel