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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

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Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT026N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.771
28.963En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT026N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT026N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Cinta cortada

$4.771

$3.147

$2.229

$2.027

Envase tipo carrete

$1.893

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

202 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)

SIHB065N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: $8.019
5.580En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB065N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB065N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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5.580En existencias

$8.019

$5.858

$5.555

$4.278

$3.091

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

40 A

65 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

74 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQJQ402E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $3.965
37.957En existencias
16.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ402E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ402E-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

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37.957En existencias

16.000En pedido

Cinta cortada

$3.965

$2.598

$1.814

$1.579

Envase tipo carrete

$1.490

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

260 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7143DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: $2.162
33.764En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7143DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7143DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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33.764En existencias

Cinta cortada

$2.162

$1.378

$930

$737

Envase tipo carrete

$675

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

30 V

35 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

47.5 nC

- 55 C

+ 150 C

35.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC

IRFP064NPBF
Infineon Technologies
1: $3.662
14.186En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP064NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP064NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC

Hoja de datos

14.186En existencias

$3.662

$2.050

$1.669

$1.378

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

55 V

110 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LVMOS SOP-8-ADV

TPCA8120,L1Q
Toshiba
1: $1.747
5.112En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPCA8120,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPCA8120L1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LVMOS SOP-8-ADV

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5.112En existencias

$1.747

$1.113

$743

$608

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

30 V

45 A

4 mOhms

- 25 V, 20 V

2 V

190 nC

+ 150 C

45 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQ7414CENW-T1_JE3
Vishay / Siliconix
1: $1.658
9.910En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ7414CENW-T1_JE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ7414CENW-T1_JE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

9.910En existencias

Cinta cortada

$1.658

$1.005

$655

$531

$371

Envase tipo carrete

$371

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8

N-Channel

1 Channel

60 V

18 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

62.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level

FQD13N10LTM
onsemi
1: $1.512
228.716En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD13N10LTM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD13N10LTM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level

Hoja de datos

228.716En existencias

Cinta cortada

$1.512

$940

$618

$486

Envase tipo carrete

$376

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

10 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8.7 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPD380P06NMATMA1
Infineon Technologies
1: $2.733
32.201En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD380P06NMATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD380P06NMATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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32.201En existencias

Cinta cortada

$2.733

$1.557

$1.254

$964

$900

Envase tipo carrete

$886

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

35 A

38 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT022N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $3.875
1.667En existencias
1.800En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPT022N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT022N10NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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1.667En existencias

1.800En pedido

Cinta cortada

$3.875

$2.531

$1.770

$1.534

$1.434

Envase tipo carrete

$1.434

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.800

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

236 A

2.25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V/20V N-Channel PowerTrench MOSFET

FDMS7682
onsemi
1: $1.266
128.005En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDMS7682

N.º de artículo de Mouser
512-FDMS7682

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V/20V N-Channel PowerTrench MOSFET

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128.005En existencias

Cinta cortada

$1.266

$531

$404

$347

$327

Envase tipo carrete

$306

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

Power-56-8

N-Channel

1 Channel

30 V

22 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.9 V

9.9 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 0.2A 20Ohm N-Channel

FQT1N80TF-WS
onsemi
1: $1.714
72.844En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQT1N80TF-WS

N.º de artículo de Mouser
512-FQT1N80TF_WS

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 0.2A 20Ohm N-Channel

Hoja de datos

72.844En existencias

Cinta cortada

$1.714

$1.010

$721

$564

Ver

Envase tipo carrete

$465

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4.000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

800 V

200 mA

20 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

7.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3

CSD13380F3T
Texas Instruments
1: $1.490
52.606En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD13380F3T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD13380F3T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3

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Hoja de datos

52.606En existencias

Cinta cortada

$1.490

$939

$538

Envase tipo carrete

$538

$458

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

PICOSTAR-3

N-Channel

1 Channel

12 V

3.6 A

76 mOhms

- 8 V, 8 V

550 mV

1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IPD50N06S2L13ATMA2
Infineon Technologies
1: $2.453
29.732En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N06S2L13ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N06S2L13ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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Hoja de datos

29.732En existencias

Cinta cortada

$2.453

$1.557

$1.089

$869

$823

Envase tipo carrete

$783

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

55 V

50 A

12.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2

CSD19538Q2T
Texas Instruments
1: $2.072
29.450En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19538Q2T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19538Q2T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2

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Hoja de datos

29.450En existencias

Cinta cortada

$2.072

$1.322

$773

Envase tipo carrete

$773

$666

$605

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

WSON-FET-6

N-Channel

1 Channel

100 V

14.4 A

59 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

IPB120N10S405ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.402
14.544En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N10S405ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N10S405ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

Obtenga más información

Hoja de datos

14.544En existencias

Cinta cortada

$4.402

$2.890

$2.027

$1.814

Envase tipo carrete

$1.702

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPD053N08N3GATMA1
Infineon Technologies
1: $2.475
49.979En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD053N08N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD053N08N3GA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Hoja de datos

49.979En existencias

Cinta cortada

$2.475

$1.792

$1.411

$1.266

Envase tipo carrete

$1.266

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

IPD30N08S2L21ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.722
36.697En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N08S2L21ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S2L21ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

36.697En existencias

Cinta cortada

$2.722

$1.758

$1.198

$959

$942

Envase tipo carrete

$880

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

30 A

15.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -18.6A DPAK-2

SPD18P06PGBTMA1
Infineon Technologies
1: $1.882
50.483En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPD18P06PGBTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD18P06PGBTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -18.6A DPAK-2

Hoja de datos

50.483En existencias

Cinta cortada

$1.882

$1.198

$799

$629

$576

Envase tipo carrete

$530

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

18.6 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

80 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET TSOP6 60V 2.5A 111MO

NVGS5120PT1G
onsemi
1: $1.557
197.042En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVGS5120PT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVGS5120PT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET TSOP6 60V 2.5A 111MO

Hoja de datos

197.042En existencias

Cinta cortada

$1.557

$973

$645

$507

$459

Envase tipo carrete

$405

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

60 V

2.5 A

72 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB50R199CPATMA1
Infineon Technologies
1: $4.133
13.664En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB50R199CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB50R199CPATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

13.664En existencias

Cinta cortada

$4.133

$2.699

$2.106

$1.770

Envase tipo carrete

$1.534

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

17 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP

STN3NF06L
STMicroelectronics
1: $1.781
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STN3NF06L

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511-STN3NF06L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP

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Mult.: 1

: 4.000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

60 V

4 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

3.3 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block

CSD87330Q3D
Texas Instruments
1: $1.635
50.231En existencias

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CSD87330Q3D

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87330Q3D

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

LSON-CLIP-8

N-Channel

2 Channel

30 V

20 A

- 8 V, 10 V

1 V, 750 mV

4.8 nC, 9.6 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350V 15Ohm

TN5335K1-G
Microchip Technology
1: $1.030
27.701En existencias

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TN5335K1-G

N.º de artículo de Mouser
689-TN5335K1-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350V 15Ohm

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$930

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

350 V

110 mA

15 Ohms

- 20 V, 20 V

600 mV

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

BSC052N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.733
16.652En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC052N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC052N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

95 A

7.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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1212-8S
1212-8SCD
1212-8SLW
1212-8W
2-10AF1A-9
2-10AG1A
6x5F
8 x 8LR
ACEPACK SMIT-9
APMCA-16
ATPAK-3
BGA-10
BGA-6
CCPAK1212
CCPAK1212-12
CCPAK1212i-12
CSP-6
CSPB1313-4
CSPB1515-4
CSPB2718-6

6 V
8 V
8 V, 8 V
9 V
10 V
10.6 V
12 V
12 V, 20 V
15 V
16 V
16.5 V
18 V
19 V
20 V
20 V, 12 V
20 V, 20 V
20 V, 30 V
20 V, 8 V
21 V, 20 V
22 V

150 uA
250 uA
520 uA
2 mA
2 mA, 4.8 mA
4.8 mA
5 mA
12 mA
13 mA
16 mA, 40 mA
19 mA
20 mA
21 mA
30 mA
35 mA
50 mA
53 mA
54 mA
60 mA
70 mA

290 uOhms
310 uOhms
350 uOhms
360 uOhms
390 uOhms
400 uOhms
410 uOhms
0.42 mOhms
420 uOhms
440 uOhms
450 uOhms
460 uOhms
470 uOhms
480 uOhms
490 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
530 uOhms
540 uOhms

- 500 mV, 5 V
- 500 mV, 8 V
- 200 mV, 7 V
- 40 V, 40 V
- 31 V, 31 V
- 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V
- 30 V, 25 V
- 30 V, 30 V
- 25 V, - 16 V, 16 V, 25 V
- 25 V, - 20 V, 20 V, 25 V
- 25 V, 20 V
- 25 V, 25 V
- 25 V, 30 V
- 22 V, 22 V
- 21 V, 21 V
- 20 V to 20 V
- 20 V, - 12 V, 12 V, 20 V
- 20 V, - 12 V, 16 V, 20 V
- 20 V, 10 V
- 20 V, 12 V

0 V
20 mV
180 mV
220 mV
300 mV
350 mV
350 mV, 1 V
350 mV, 1.4 V
350 mV, 300 mV
400 mV
400 mV, 1 V
400 mV, 1.5 V
400 mV, 500 mV
400 mV, 800 mV
420 mV
450 mV
450 mV, 1 V
450 mV, 1.1 V
450 mV, 1.5 V
450 mV, 950 mV

70 pC, 850 pC
73 pC, 3 nC
170 pC, 230 pC
180 pC
210 pC
216 pC
223 pC
250 pC, 500 pC
260 pC
270 pC
280 pC
290 pC
300 pC
300 pC, 280 pC
304 pC
310 pC
320 pC
330 pC
340 pC
340 pC, 400 pC

290 uW
300 uW
470 uW
700 uW
1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.135 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
5 mW
10.9 mW
80 mW
92.5 mW
100 mW
120 mW
125 mW

2N7000
2N7002
2N7002A
2N7002W
ATTOmini
BIMOSFET
Clare
CoolMOS
CoolMOS, HiPerDyn
CoolMOS, ISOPLUS247
CoolSiC
DI003N03SQ2
DI006P02PW
DI008N09SQ
DI010N03PW
DI010N03PW-AQ
DI015N25D1
DI020N06D1
DI020P06PT
DI020P06PT-AQ