Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Semiconductors SI3425DV-T1-GE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 2.940En existencias
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Diodes Incorporated DMP21D1UFB4Q-7B
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN1006-3 T&R 10K 7.496En existencias
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: 10.000

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Diodes Incorporated DMT3009LSSQ-13
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K 1.964En existencias
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: 2.500

Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SI2318HDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET 6.786En existencias
Más información disponible
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: 3.000

Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors SIRA10DDP-T1-UE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 2.990En existencias
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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6.594En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 P-Channel 1 Channel 30 V 195 A 1.7 mOhms - 20 V, 16 V 2.5 V 172.5 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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5.739En existencias
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: 1.800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 74 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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119En existencias
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: 100

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
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10.091En existencias
12.000En pedido
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: 2.000

Si SMD/SMT PowerPAK 8 x 8L-4 N-Channel 1 Channel 100 V 296 A 2.53 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 181 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
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2.258En existencias
200En pedido
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OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
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1.440En existencias
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 91 A 24 mOhms 20 V 4.7 V 122 nC - 55 C + 150 C 431 W Enhancement CoolMOS Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
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21.951En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V 437 A 1.158 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 99 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET
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24.475En existencias
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 400 V 3.1 A 1.8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
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417En existencias
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Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 65 mOhms 30 V 5 V 132 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
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428En existencias
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Si SMD/SMT TO-247AC N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 33 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Vishay
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 30V 58A
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5.645En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 58 A 5.1 mOhms - 16 V, 20 V 2.2 V 19.4 nC - 55 C + 150 C 31.2 W Enhancement TrenchFET
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
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2.693En existencias
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Si SMD/SMT 1212-8S N-Channel 1 Channel 60 V 81.2 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15.2 nC - 55 C + 150 C 4.8 W
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
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3.160En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L N-Channel 1 Channel 100 V 37 A 64 mOhms 20 V 2.5 V 84 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 40V 31.7A
Hoja de datos
5.835En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8S N-Channel 1 Channel 40 V 109 A 2.65 mOhms - 16 V, 20 V 2.4 V 40.5 nC - 55 C + 150 C 56.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LVMOS SOP-8-ADV
Hoja de datos
5.112En existencias
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Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 30 V 45 A 4 mOhms - 25 V, 20 V 2 V 190 nC + 150 C 45 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
9.910En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 60 V 18 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 19 nC - 55 C + 175 C 62.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Hoja de datos
2.653En existencias
6.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 60 V 90.9 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 74 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP
Hoja de datos
13.664En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 17 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
1.667En existencias
1.800En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 236 A 2.25 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 103 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2
Hoja de datos
29.450En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT WSON-FET-6 N-Channel 1 Channel 100 V 14.4 A 59 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel