Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY
BLL9G1214L-600U
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94-BLL9G1214L-600U
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY
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SOT502A-3
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30G/TO270/REEL
BLP15M9S30GXY
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30G/TO270/REEL
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LDMOS
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TO-270-2G-1-3
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY
CLF3H0035-100U
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GaN Si
50 V
240 mOhms
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100 W
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SOT467C-3
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035S-100/SOT467B/TRAY
CLF3H0035S-100U
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94-CLF3H0035S-100U
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035S-100/SOT467B/TRAY
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GaN Si
50 V
240 mOhms
0 Hz to 3.5 GHz
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100 W
+ 300 C
SMD/SMT
SOT467B-3
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
MW6S004NT1
NXP Semiconductors
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841-MW6S004NT1
NRND
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
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Si
68 V
1 MHz to 2 GHz
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4 W
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PLD-1.5-4
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
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ARF460AG
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494-ARF460AG
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
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Si
14 A
500 V
65 MHz
13 dB
150 W
- 55 C
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Through Hole
TO-247-3
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
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ARF460BG
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494-ARF460BG
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
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N-Channel
Si
14 A
500 V
65 MHz
13 dB
150 W
- 55 C
+ 150 C
Through Hole
TO-247-3
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
VRF2933
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VRF2933
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494-VRF2933
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
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N-Channel
Si
42 A
180 V
30 MHz
25 dB
300 W
- 65 C
+ 150 C
Screw Mount
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177
VRF2944
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VRF2944
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494-VRF2944
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177
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N-Channel
Si
50 A
180 V
30 MHz
25 dB
400 W
- 65 C
+ 150 C
Screw Mount
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
PD55003TR-E
STMicroelectronics
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$9.890
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511-PD55003TR-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
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$9.890
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$7.134
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600
$6.160
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N-Channel
Si
2.5 A
40 V
1 GHz
17 dB
3 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
PD55008TR-E
STMicroelectronics
1:
$17.091
682 En existencias
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511-PD55008TR-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
682 En existencias
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1
$17.091
10
$12.634
100
$11.234
600
$11.234
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N-Channel
Si
4 A
40 V
1 GHz
17 dB
8 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
PD57018-E
STMicroelectronics
1:
$32.357
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511-PD57018-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
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1
$32.357
10
$24.752
100
$24.002
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N-Channel
Si
2.5 A
65 V
760 mOhms
1 GHz
16.5 dB
18 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
PD57030-E
STMicroelectronics
1:
$54.746
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511-PD57030-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
234 En existencias
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1
$54.746
10
$40.981
100
$39.939
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N-Channel
Si
4 A
65 V
1 GHz
14 dB
30 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
360°
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SD2933W
STMicroelectronics
1:
$156.430
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SD2933W
N.º de artículo de Mouser
511-SD2933W
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
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Si
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
360°
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SD2941-10W
STMicroelectronics
1:
$96.634
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N.º de artículo de Mouser
511-SD2941-10W
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
33 En existencias
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N-Channel
Si
20 A
130 V
175 MHz
15 dB
175 W
+ 200 C
Screw Mount
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz
SD2942W
STMicroelectronics
1:
$215.734
75 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
SD2942W
N.º de artículo de Mouser
511-SD2942W
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz
75 En existencias
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Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
40 A
130 V
175 MHz
15 dB
350 W
+ 200 C
Screw Mount
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz
360°
+5 imágenes
SD2943W
STMicroelectronics
1:
$176.725
71 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
SD2943W
N.º de artículo de Mouser
511-SD2943W
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz
71 En existencias
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Mult.: 1
Detalles
Si
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
SD4933MR
STMicroelectronics
1:
$170.274
66 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-SD4933MR
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
66 En existencias
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Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
40 A
200 V
100 MHz
24 dB
300 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
M177MR-5
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp
SD57045
STMicroelectronics
1:
$113.109
51 En existencias
40 En pedido
N.º de artículo del Fabricante
SD57045
N.º de artículo de Mouser
511-SD57045
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp
51 En existencias
40 En pedido
1
$113.109
10
$90.160
100
$87.293
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
5 A
65 V
1 GHz
13 dB
45 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
M243
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
STAC2942BW
STMicroelectronics
1:
$162.366
75 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STAC2942BW
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
75 En existencias
1
$162.366
10
$137.200
80
$127.658
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
40 A
130 V
250 MHz
21 dB
350 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
STAC244B
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors
1:
$447.776
46 En existencias
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
46 En existencias
1
$447.776
10
$387.621
50
$387.621
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
43 A
179 V
1.8 MHz to 400 MHz
25.1 dB
1.8 kW
- 40 C
+ 150 C
Screw Mount
NI-1230H-4
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
1:
$391.328
19 En existencias
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
19 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
43 A
179 V
1.8 MHz to 400 MHz
24.4 dB
1.8 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
OM-1230-4
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
1:
$57.714
154 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
154 En existencias
Embalaje alternativo
1
$57.714
10
$45.461
100
$42.090
500
$40.298
1.000
Ver
1.000
Presupuesto
Comprar
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Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
8 A
40 V
136 MHz to 520 MHz
18.5 dB
70 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-WB-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
1:
$4.390
6.272 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
6.272 En existencias
1
$4.390
10
$3.035
100
$2.598
500
$2.509
1.000
$2.419
2.000
$2.341
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
4 A
30 V
136 MHz to 941 MHz
20.9 dB
4.9 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
SOT-89-3
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
1:
$26.118
517 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
517 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
7.5 A
40 V
136 MHz to 520 MHz
17.7 dB
33 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-2
Reel, Cut Tape, MouseReel