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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 627

Filtros aplicados:

Fabricante

Polaridad del transistor

Tecnología

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD55003S-E
STMicroelectronics
1: $11.648
472En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55003S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

472En existencias

$11.648

$8.042

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.5 A

40 V

1 GHz

17 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V

AFM906NT1
NXP Semiconductors
1: $4.155
972En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AFM906NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFM906NT1

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V

Hoja de datos

972En existencias

Cinta cortada

$4.155

$2.867

$2.453

$2.374

Envase tipo carrete

$2.117

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

N-Channel

4.7 A

30 V

136 MHz to 941 MHz

16.2 dB

6.5 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

HVSON-16

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz

FH2164
MACOM
1: $199.394
17En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FH2164

N.º de artículo de Mouser
937-FH2164

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz

Hoja de datos

17En existencias

$199.394

$157.898

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

65 V

30 MHz to 90 MHz

13 dB

8 W

+ 200 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB

MRF160
MACOM
1: $71.758
70En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF160

N.º de artículo de Mouser
937-MRF160

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB

Obtenga más información

Hoja de datos

70En existencias

$71.758

$55.709

$52.819

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

1 A

65 V

500 MHz

18 dB

4 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

249-06

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD55025S-E
STMicroelectronics
1: $30.856
144En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55025S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55025S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

144En existencias

$30.856

$23.374

$23.363

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

7 A

40 V

1 GHz

14.5 dB

25 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD55025-E
STMicroelectronics
1: $34.686
210En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55025-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55025-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

210En existencias

$34.686

$24.405

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

7 A

40 V

1 GHz

14.5 dB

25 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V

AFT09MS031NR1
NXP Semiconductors
1: $22.602
486En existencias
500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
AFT09MS031NR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031NR1

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V

Hoja de datos

486En existencias

500En pedido

Cinta cortada

$22.602

$17.976

$14.918

Envase tipo carrete

$14.907

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

10 A

40 V

764 MHz to 941 MHz

15.7 dB

32 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-2

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB

MRF171A
MACOM
1: $91.616
51En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF171A

N.º de artículo de Mouser
937-MRF171A

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB

Obtenga más información

Hoja de datos

51En existencias

$91.616

$70.806

$68.253

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4.5 A

65 V

150 MHz

17 dB

45 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

211-07-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD55015-E
STMicroelectronics
1: $25.525
167En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55015-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

167En existencias

$25.525

$18.435

$17.427

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

40 V

1 GHz

14 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

MRF1K50NR5
NXP Semiconductors
1: $392.056
40En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF1K50NR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50NR5

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

Obtenga más información

Hoja de datos

40En existencias

Cinta cortada

$392.056

$311.584

Envase tipo carrete

$311.584

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 50

N-Channel

36 A

133 V

1.8 MHz to 500 MHz

23 dB

1.5 kW

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

OM-1230-4

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS

MRF174
MACOM
1: $102.738
72En existencias
40En pedido

N.º de artículo del Fabricante
MRF174

N.º de artículo de Mouser
937-MRF174

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS

Hoja de datos

72En existencias

40En pedido

$102.738

$79.822

$76.955

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

13 A

65 V

200 MHz

9 dB

125 W

- 65 C

+ 200 C

Screw Mount

211-07

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB

UF28100V
MACOM
1: $417.245
18En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF28100V

N.º de artículo de Mouser
937-UF28100V

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB

Hoja de datos

18En existencias

$417.245

$340.861

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

12 A

65 V

100 MHz to 500 MHz

10 dB

100 W

- 55 C

+ 150 C

SMD/SMT

744A-01

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LOW NOISE AMPL / SM / RoHS

TAV1-331+
Mini-Circuits
1: $18.469
61En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TAV1-331+

N.º de artículo de Mouser
139-TAV1-331

Mini-Circuits

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LOW NOISE AMPL / SM / RoHS

Obtenga más información

Hoja de datos

61En existencias

Cinta cortada

$18.469

$2.397

Envase tipo carrete

$2.251

$2.240

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

GaAs

60 mA

4 V

10 MHz to 4 GHz

12 dB

21.3 dBm

- 40 C

+ 85 C

SMD/SMT

MCLP-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0427M9S20G/TO270/REEL

BLP0427M9S20GXY
Ampleon
1: $29.579
78En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP0427M9S20GXY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP0427M9S20GXY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0427M9S20G/TO270/REEL

Hoja de datos

78En existencias

Cinta cortada

$29.579

$24.718

Envase tipo carrete

$20.384

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

65 V

500 mOhms

400 MHz to 2.7 GHz

19 dB

20 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF101BN
NXP Semiconductors
1: $44.397
243En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF101BN

N.º de artículo de Mouser
771-MRF101BN

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Obtenga más información

Hoja de datos

243En existencias

$44.397

$30.912

$30.901

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

8.8 A

133 V

1.8 MHz to 250 MHz

21.1 dB

115 W

- 40 C

+ 150 C

Through Hole

TO-220-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70/TO270/REEL

BLP15M9S70XY
Ampleon
1: $29.165
77En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15M9S70XY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15M9S70XY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70/TO270/REEL

Hoja de datos

77En existencias

Cinta cortada

$29.165

$24.371

Envase tipo carrete

$20.093

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

65 V

185 mOhms

2 GHz

17.8 dB

70 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2F-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

MWT-PH33F
CML Micro
10: $19.410
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH33F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH33F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Hoja de datos

30En existencias

$19.410

$19.376

$15.949

$14.963

Ver

Min.: 10
Mult.: 10

N-Channel

GaAs

26 GHz

14 dB

24 dBm

SMD/SMT

Die

Gel Pack

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,20W,28V,2-175MHz

DU2820S
MACOM
1: $83.518
22En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DU2820S

N.º de artículo de Mouser
937-DU2820S

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,20W,28V,2-175MHz

Hoja de datos

22En existencias

$83.518

$63.067

$61.690

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

24 A

65 V

175 MHz

13 dB

20 W

+ 200 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices

MWT-LN300
CML Micro
10: $37.643
50En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-LN300

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-LN300

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices

Obtenga más información

Hoja de datos

50En existencias

Envase tipo carrete

$37.643

$33.309

Min.: 10
Mult.: 10

Carrete: 10

GaAs

120 mA

4 V

26 GHz

10 dB, 13 dB

16 dBm

+ 150 C

Die

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices

MWT-LN600
CML Micro
10: $38.987
100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-LN600

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-LN600

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices

Obtenga más información

Hoja de datos

100En existencias

$38.987

$33.578

Min.: 10
Mult.: 10

GaAs

175 mA

4.5 V

26 GHz

8 dB, 11 dB

20 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source

ARF465AG
Microchip Technology
1: $69.238
277En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF465AG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF465AG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

277En existencias

$69.238

$61.354

$60.984

$52.472

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

6 A

1.2 kV

60 MHz

13 dB

150 W

- 55 C

+ 150 C

Through Hole

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177

VRF2933MP
Microchip Technology
1: $328.552
17En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VRF2933MP

N.º de artículo de Mouser
494-VRF2933MP

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177

Hoja de datos

17En existencias

$328.552

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

42 A

180 V

150 MHz

25 dB

300 W

- 65 C

+ 150 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,10W,28V,2-175MHz

DU2810S
MACOM
1: $82.174
51En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DU2810S

N.º de artículo de Mouser
937-DU2810S

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,10W,28V,2-175MHz

Hoja de datos

51En existencias

$82.174

$62.082

$60.738

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.8 A

65 V

175 MHz

13 dB

10 W

+ 200 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

PD54003-E
STMicroelectronics
1: $13.384
115En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54003-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54003-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

Hoja de datos

115En existencias

$13.384

$7.549

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

25 V

1 GHz

12 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G

AFT05MP075GNR1
NXP Semiconductors
1: $35.986
313En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MP075GNR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075GNR1

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G

Hoja de datos

313En existencias

Cinta cortada

$35.986

$30.139

$25.312

Envase tipo carrete

$25.312

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

8 A

40 V

136 MHz to 520 MHz

18.5 dB

70 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-WBG-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.4 uA
774 uA
1 mA
1.27 mA
1.93 mA
6 mA
10 mA
15 mA
26 mA
40 mA to 60 mA
50 mA
60 mA
60 mA to 80 mA
85 mA
90 mA to 120 mA
100 mA
120 mA
125 mA
150 mA
150 mA to 190 mA

3 V
4 V
4.5 V
6.5 V
7.5 V
8 V
10 V
12 V
12.5 V
20 V
25 V
28 V
30 V
32 V
40 V
48 V
50 V
52 V
55 V
60 V

26 mOhms
30 mOhms
35 mOhms
40.5 mOhms
43 mOhms
45.5 mOhms
50 mOhms
52.5 mOhms
54 mOhms
57.5 mOhms
60 mOhms
60 mOhms, 90 mOhms
69 mOhms
70 mOhms
80 mOhms
84 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
100 mOhms
106 mOhms

0 Hz to 3.5 GHz
0 Hz to 7 GHz
2.5 Hz to 2.7 Hz
30 kHz to 50 GHz
1 MHz
1 MHz to 2 GHz
1 MHz to 400 MHz
1 MHz to 425 MHz
1 MHz to 450 MHz
1 MHz to 500 MHz
1 MHz to 650 MHz
1.8 MHz to 250 MHz
1.8 MHz to 400 MHz
1.8 MHz to 50 MHz
1.8 MHz to 500 MHz
1.8 MHz to 600 MHz
2 MHz to 175 MHz
10 MHz to 4 GHz
30 MHz
30 MHz to 860 MHz

8 dB
8 dB, 11 dB
8.8 dB
8.9 dB
9 dB
10 dB
10 dB, 13 dB
10.8 dB
11 dB
11.2 dB
11.5 dB
12 bB
12 dB
12.3 dB
12.5 dB
13 dB
13.3 dB
13.4 dB
13.5 dB
14 dB

200 mW
2 W
2.2 W
3 W
4 W
4.9 W
5 W
6.5 W
7.3 W
8 W
10 W
12 W
14 W
15 W
15.7 W
16 W
16 dBm
18 W
20 W
20 dBm

1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
211-07
211-07-3
221-11-3
244-4
249-06
305A-01
319-07
333-04
333-4
368-3
375-04
744A-01
A2-3
ACC-1230-6F-2-7
ACC-1230-6F-3-7
ACC-1230-6G-2-7
B2-3
B4E-5