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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 627

Filtros aplicados:

Fabricante

Polaridad del transistor

Tecnología

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264

ARF468AG
Microchip Technology
1: $73.360
1En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF468AG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF468AG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264

Hoja de datos

1En existencias

$73.360

$62.070

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174

VRF141
Microchip Technology
1: $70.414
24En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VRF141

N.º de artículo de Mouser
494-VRF141

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174

Hoja de datos

24En existencias

$70.414

$53.872

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

20 A

80 V

175 MHz

22 dB

150 W

- 65 C

+ 150 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz

RF5L15120CB4
STMicroelectronics
1: $215.779
18En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF5L15120CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF5L15120CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz

Obtenga más información

Hoja de datos

18En existencias

Cinta cortada

$215.779

$176.176

Envase tipo carrete

$176.165

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

Dual N-Channel

2.5 A

95 V

1 Ohms

1 GHz

20 dB

120 W

+ 200 C

SMD/SMT

LBB-5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source

ARF465BG
Microchip Technology
1: $69.238
22En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF465BG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF465BG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

22En existencias

$69.238

$60.883

$57.344

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

6 A

1.2 kV

60 MHz

13 dB

150 W

- 55 C

+ 150 C

Through Hole

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS

MRF175GU
MACOM
1: $300.362
5En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF175GU

N.º de artículo de Mouser
937-MRF175GU

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS

Hoja de datos

5En existencias

$300.362

$247.061

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF24H4LS300P/SOT1214/TRAY

CLF24H4LS300PU
Ampleon
1: $324.878
120En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
CLF24H4LS300PU

N.º de artículo de Mouser
94-CLF24H4LS300PU

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF24H4LS300P/SOT1214/TRAY

Hoja de datos

120En existencias

$324.878

$270.950

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

GaN SiC

50 V

2.4 GHz to 2.5 GHz

16 dB

300 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT1214B-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

RF5L08350CB4
STMicroelectronics
1: $193.200
110En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF5L08350CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08350CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

Obtenga más información

Hoja de datos

110En existencias

Cinta cortada

$193.200

$164.058

Envase tipo carrete

$157.114

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 120

N-Channel

2.5 A

110 V

1 Ohms

1 GHz

19 dB

400 W

+ 200 C

SMD/SMT

B4E-5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY

BLF981SU
Ampleon
1: $149.766
55En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BLF981SU

N.º de artículo de Mouser
94-BLF981SU

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY

Obtenga más información

Hoja de datos

55En existencias

$149.766

$118.306

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

LDMOS

1.4 uA

108 V

24 dB

170 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT-467B-2

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY

BLF981U
Ampleon
1: $149.766
31En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BLF981U

N.º de artículo de Mouser
94-BLF981U

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY

Obtenga más información

Hoja de datos

31En existencias

$149.766

$118.306

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

LDMOS

1.4 uA

108 V

24 dB

170 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT-467C-2

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL

BLP981XY
Ampleon
1: $70.515
58En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BLP981XY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP981XY

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL

Obtenga más información

Hoja de datos

58En existencias

Cinta cortada

$70.515

$55.238

Envase tipo carrete

$52.506

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

1.4 uA

108 V

23.8 dB

170 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2F-1

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K9FHU/SOT1214/TRAY

ART1K9FHU
Ampleon
1: $290.651
189En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ART1K9FHU

N.º de artículo de Mouser
94-ART1K9FHU

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K9FHU/SOT1214/TRAY

Hoja de datos

189En existencias

$290.651

$239.333

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

LDMOS

55 V

69 mOhms

1 MHz to 500 MHz

24.6 dB

1.9 kW

+ 225 C

Screw Mount

SOT539A-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFEG/ACC-1230/REEL

ART2K0TFEGJ
Ampleon
1: $283.595
82En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ART2K0TFEGJ

N.º de artículo de Mouser
94-ART2K0TFEGJ

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFEG/ACC-1230/REEL

Hoja de datos

82En existencias

Cinta cortada

$283.595

$277.122

Envase tipo carrete

$277.122

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

Dual N-Channel

LDMOS

65 V

107 mOhms

29 dB

+ 225 C

SMD/SMT

ACC-1230-6G-2-7

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB

MRF158
MACOM
1: $59.842
554En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF158

N.º de artículo de Mouser
937-MRF158

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB

Obtenga más información

Hoja de datos

554En existencias

$59.842

$44.106

$43.400

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

500 mA

65 V

500 MHz

18 dB

2 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

305A-01

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L16180CB4
STMicroelectronics
1: $193.189
20En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF2L16180CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16180CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

Obtenga más información

Hoja de datos

20En existencias

Cinta cortada

$193.189

$157.114

Envase tipo carrete

$157.114

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 120

N-Channel

2.5 A

65 V

1 Ohms

1.6 GHz

14 dB

180 W

+ 200 C

SMD/SMT

B4E-5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PEG/REEL

ART150PEGXY
Ampleon
1: $71.422
144En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ART150PEGXY

N.º de artículo de Mouser
94-ART150PEGXY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PEG/REEL

Hoja de datos

144En existencias

Cinta cortada

$71.422

$56.997

Envase tipo carrete

$53.222

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

65 V

497 mOhms

1 MHz to 650 MHz

31.2 dB

150 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PE/REELDP

ART150PEXY
Ampleon
1: $71.400
72En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ART150PEXY

N.º de artículo de Mouser
94-ART150PEXY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PE/REELDP

Hoja de datos

72En existencias

Cinta cortada

$71.400

$56.986

Envase tipo carrete

$53.222

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

65 V

497 mOhms

1 MHz to 650 MHz

31.2 dB

150 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2F-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART700FHS/SOT1214/TRAY

ART700FHSU
Ampleon
1: $208.566
58En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ART700FHSU

N.º de artículo de Mouser
94-ART700FHSU

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART700FHS/SOT1214/TRAY

Hoja de datos

58En existencias

$208.566

$184.386

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

LDMOS

55 V

171 mOhms

1 MHz to 450 MHz

28.6 dB

700 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT1214B-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART800PEG/OMP780/REEL

ART800PEGY
Ampleon
1: $162.837
82En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ART800PEGY

N.º de artículo de Mouser
94-ART800PEGY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART800PEG/OMP780/REEL

Hoja de datos

82En existencias

Cinta cortada

$162.837

$138.074

Envase tipo carrete

$129.069

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

Dual N-Channel

LDMOS

65 V

200 mOhms

1 MHz to 650 MHz

29.2 dB

800 W

+ 225 C

SMD/SMT

OMP-780-4G-1-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3742N80D/PQFN-12X7/REEL

B11G3742N81DYZ
Ampleon
1: $81.906
219En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
B11G3742N81DYZ

N.º de artículo de Mouser
94-B11G3742N81DYZ

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3742N80D/PQFN-12X7/REEL

Hoja de datos

219En existencias

Cinta cortada

$81.906

$66.640

$60.603

Envase tipo carrete

$60.357

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 300

LDMOS

65 V

3.7 GHz to 4.2 GHz

36 dB

48.5 dBm

+ 200 C

SMD/SMT

QFN-36

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF944P/SOT1228/TRAY

BLF944PU
Ampleon
1: $208.678
56En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLF944PU

N.º de artículo de Mouser
94-BLF944PU

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF944P/SOT1228/TRAY

Hoja de datos

56En existencias

$208.678

$168.157

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

LDMOS

32 V

300 mOhms

1.3 GHz

20.3 dB

135 W

+ 225 C

Screw Mount

SOT1228A-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP5LA55SG/TO270/REEL

BLP5LA55SGXY
Ampleon
1: $28.459
125En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP5LA55SGXY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP5LA55SGXY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP5LA55SG/TO270/REEL

Hoja de datos

125En existencias

Cinta cortada

$28.459

$21.504

Envase tipo carrete

$21.000

$19.622

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

30 V

60 mOhms

520 MHz

19.6 dB

55 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-850AVT/OMP1230-/REELD

BLP9H10S-850AVTY
Ampleon
1: $100.957
190En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP9H10S-850AVTY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP9H10S-850AVTY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-850AVT/OMP1230-/REELD

Hoja de datos

190En existencias

Cinta cortada

$100.957

$80.170

Envase tipo carrete

$77.302

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

Dual N-Channel

LDMOS

48 V

107 mOhms, 155 mOhms

617 MHz to 960 MHz

17.8 dB

850 W

- 40 C

+ 125 C

SMD/SMT

OMP-1230-6F-1-7

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

PD55003L-E
STMicroelectronics
1: $8.613
3.632En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55003L-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003L-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

Hoja de datos

3.632En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

$8.613

$6.182

$5.387

$5.286

Envase tipo carrete

$5.286

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

N-Channel

2.5 A

40 V

1 GHz

17 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerFLAT (5x5)

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD55015S-E
STMicroelectronics
1: $25.827
310En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55015S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

310En existencias

$25.827

$21.134

$18.670

$17.427

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

40 V

1 GHz

14 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

SD2931-10W
STMicroelectronics
1: $105.896
305En existencias
300En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SD2931-10W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-10W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

Hoja de datos

305En existencias

300En pedido

$105.896

$87.506

$78.803

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

20 A

125 V

230 MHz

15 dB

150 W

+ 150 C

SMD/SMT

M174

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.4 uA
774 uA
1 mA
1.27 mA
1.93 mA
6 mA
10 mA
15 mA
26 mA
40 mA to 60 mA
50 mA
60 mA
60 mA to 80 mA
85 mA
90 mA to 120 mA
100 mA
120 mA
125 mA
150 mA
150 mA to 190 mA

3 V
4 V
4.5 V
6.5 V
7.5 V
8 V
10 V
12 V
12.5 V
20 V
25 V
28 V
30 V
32 V
40 V
48 V
50 V
52 V
55 V
60 V

26 mOhms
30 mOhms
35 mOhms
40.5 mOhms
43 mOhms
45.5 mOhms
50 mOhms
52.5 mOhms
54 mOhms
57.5 mOhms
60 mOhms
60 mOhms, 90 mOhms
69 mOhms
70 mOhms
80 mOhms
84 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
100 mOhms
106 mOhms

0 Hz to 3.5 GHz
0 Hz to 7 GHz
2.5 Hz to 2.7 Hz
30 kHz to 50 GHz
1 MHz
1 MHz to 2 GHz
1 MHz to 400 MHz
1 MHz to 425 MHz
1 MHz to 450 MHz
1 MHz to 500 MHz
1 MHz to 650 MHz
1.8 MHz to 250 MHz
1.8 MHz to 400 MHz
1.8 MHz to 50 MHz
1.8 MHz to 500 MHz
1.8 MHz to 600 MHz
2 MHz to 175 MHz
10 MHz to 4 GHz
30 MHz
30 MHz to 860 MHz

8 dB
8 dB, 11 dB
8.8 dB
8.9 dB
9 dB
10 dB
10 dB, 13 dB
10.8 dB
11 dB
11.2 dB
11.5 dB
12 bB
12 dB
12.3 dB
12.5 dB
13 dB
13.3 dB
13.4 dB
13.5 dB
14 dB

200 mW
2 W
2.2 W
3 W
4 W
4.9 W
5 W
6.5 W
7.3 W
8 W
10 W
12 W
14 W
15 W
15.7 W
16 W
16 dBm
18 W
20 W
20 dBm

1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
211-07
211-07-3
221-11-3
244-4
249-06
305A-01
319-07
333-04
333-4
368-3
375-04
744A-01
A2-3
ACC-1230-6F-2-7
ACC-1230-6F-3-7
ACC-1230-6G-2-7
B2-3
B4E-5