Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
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4.390En existencias
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: 6.000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 100 V 13 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 43 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
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4.586En existencias
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: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 115 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 102 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP
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26.948En existencias
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: 3.000

Si AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 255A
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1.985En existencias
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: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 255 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 27 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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36.890En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 60 V 7 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11.5 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 35A N-CH MOSFET
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560En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 102 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Tube
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 100V 30A
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3.546En existencias
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: 1.500

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 2 Channel 100 V 30 A 29 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 29.6 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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8.586En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L N-Channel 1 Channel 60 V 63 A 16.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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5.086En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 214 A 2.53 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 38 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
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26.971En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 16.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 25 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 99 mOhm
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11.397En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 57 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 11A N-CH
Hoja de datos
8.380En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
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5.245En existencias
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Min.: 1
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: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 270 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V P-CHANNEL
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155.647En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT SSOT-6 P-Channel 1 Channel 30 V 4.9 A 58 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 N-CH PwrTrench MOSFET
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33.953En existencias
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: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 150 V 5 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 11.3 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
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6.688En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 108 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
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13.196En existencias
13.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 530 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 34 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement UniFET Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V N-Channel QFET
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12.420En existencias
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 5.4 A 2.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 3.13 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel FET Enhancement Mode
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36.468En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 60 V 2.7 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 11 nC - 65 C + 150 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET
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91.378En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 11 A 107 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 11.3 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A
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42.099En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 4 Channel 60 V 1.42 A, 1.8 A 250 mOhms, 400 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.2 nC, 5.7 nC - 55 C + 150 C 870 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
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54.196En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 96.3 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement PowerDI Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
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68.801En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 40 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 400A
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3.347En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 400 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 420 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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1.540En existencias
75En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube