Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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Resultados: 22.486
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
3.332En existencias
Min.: 1
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: 1.800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 60 V 311 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 106 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 24A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.156En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN1616 P-CH 12V 4A
Hoja de datos
5.918En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-1616-8 P-Channel 1 Channel 12 V 4 A 62 mOhms - 8 V, 0 V 1 V 16 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 13A N-CH MOSFET
Hoja de datos
8.920En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8 N-Channel 1 Channel 600 V - 20 V, 20 V 5 V - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAIR3X3 2NCH 30V 35A
Hoja de datos
7.495En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAIR 3 x 3FS-12 N-Channel 2 Channel 30 V 125 A 2.43 mOhms - 12 V, 16 V 2 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 56.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
36.409En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8SLW N-Channel 1 Channel 40 V 110 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 23 nC - 55 C + 175 C 113 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
23.616En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK1212-8W N-Channel 1 Channel 80 V 12 A 37 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6.4 nC - 55 C + 175 C 27 W Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
Hoja de datos
26.971En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 16.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 25 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 99 mOhm
Hoja de datos
11.449En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 57 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 11A N-CH
Hoja de datos
8.387En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
Hoja de datos
5.245En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 270 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V P-CHANNEL
Hoja de datos
155.647En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SSOT-6 P-Channel 1 Channel 30 V 4.9 A 58 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 N-CH PwrTrench MOSFET
Hoja de datos
33.953En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 150 V 5 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 11.3 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
Hoja de datos
6.688En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 108 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
Hoja de datos
13.196En existencias
13.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 530 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 34 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement UniFET Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V N-Channel QFET
Hoja de datos
12.007En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 5.4 A 2.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 3.13 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel FET Enhancement Mode
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36.902En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 60 V 2.7 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 11 nC - 65 C + 150 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET
Hoja de datos
91.378En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 11 A 107 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 11.3 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A
Hoja de datos
42.099En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 4 Channel 60 V 1.42 A, 1.8 A 250 mOhms, 400 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.2 nC, 5.7 nC - 55 C + 150 C 870 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
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54.155En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 96.3 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement PowerDI Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
Hoja de datos
68.591En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 40 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 400A
Hoja de datos
3.347En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 400 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 420 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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1.540En existencias
75En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 20A N-CH MOSFET
Hoja de datos
5.811En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 196 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 155 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 P-CH 60V 56A
Hoja de datos
13.822En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 P-Channel 1 Channel 60 V 56 A 11.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape