Transistores de radiofrecuencia

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Tipo de transistor
Tecnología
Frecuencia de trabajo
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Ganancia
Calificación
Empaquetado
Toshiba Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PW-X-4 Si 520 MHz 12 W 10.8 dB Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT NI-780GS-4L Si 1.03 GHz to 1.09 GHz 700 W - 55 C + 150 C 19.2 dB Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 240
Mult.: 240
RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 1.8 MHz to 50 MHz 330 W + 150 C 28.2 dB Tube
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Hoja de datos
Plazo de entrega 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-220-3 Si 1.8 MHz to 250 MHz 115 W - 40 C + 150 C 21.1 dB Tube
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 240
Mult.: 240

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 1.8 MHz to 250 MHz 330 W - 40 C + 150 C 20.4 dB Tube
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT OM-1230G-4 Si 1.8 MHz to 400 MHz 1.8 kW - 40 C + 150 C 24.4 dB Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.25 mm Pwr pHEMT Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

RF JFET Transistors pHEMT Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.40 mm Pwr pHEMT Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

RF JFET Transistors 0.41 mm x 0.34 mm pHEMT GaAs 13 dB Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.60 mm Pwr pHEMT Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

RF JFET Transistors pHEMT Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.80mm Pwr pHEMT Plazo de entrega 20 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

RF JFET Transistors pHEMT Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 1.20mm Pwr pHEMT Plazo de entrega 20 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

RF JFET Transistors pHEMT Tray
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 1.60mm Pwr pHEMT Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

RF JFET Transistors pHEMT Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

RF MOSFET Transistors SMD/SMT TO-270WB-4 Si 764 MHz to 940 MHz 57 W - 40 C + 150 C 17.5 dB Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ13.6V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

RF MOSFET Transistors SMD/SMT TO-270-2 Si 764 MHz to 941 MHz 32 W - 40 C + 150 C 15.7 dB Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT OM-1230G-4 Si 1.8 MHz to 500 MHz 1.5 kW - 40 C + 150 C 23 dB Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

RF MOSFET Transistors Screw Mount NI-780 Si 960 MHz to 1.215 GHz 275 W + 150 C 20.3 dB Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1400MHZ 50V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT NI-780S Si 1.2 GHz to 1.4 GHz 330 W + 150 C 18 dB Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 150
Mult.: 150
Carrete: 150

RF MOSFET Transistors Screw Mount NI-1230H-4 Si 1.8 MHz to 600 MHz 1.25 kW + 150 C 24 dB Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 20
Mult.: 20

RF MOSFET Transistors SMD/SMT Si 2 MHz to 175 MHz 120 W 13 dB
MACOM Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 1025-1150MHz 500W Gain 8.5dB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500

RF Bipolar Transistors 355J-2 Bipolar Power Si 1.15 GHz - 65 C + 200 C
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 221-11-3 Si 200 MHz 80 W - 65 C + 150 C 13 dB Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 20
Mult.: 20

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 333-04 Si 500 MHz 100 W - 65 C + 150 C 8.8 dB Tray
MACOM Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,20-500MHz,28V,10W
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF Bipolar Transistors Si
MACOM Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,110W,2.7-2.9GHz,100us,10%
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 20
Mult.: 20

RF Bipolar Transistors Screw Mount Ceramic-2 Bipolar Si 2.7 GHz to 2.9 GHz 110 W + 200 C
MACOM Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,Bipolar,65W,36V,2.70-2.90GHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 20
Mult.: 20

RF Bipolar Transistors Si