Transistores de radiofrecuencia

Resultados: 900
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Estilo de montaje Paquete / Cubierta Tipo de transistor Tecnología Frecuencia de trabajo Potencia de salida Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Ganancia Calificación Empaquetado
Analog Devices / Maxim Integrated Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOIC-Narrow-8 Bipolar Power Si 900 MHz - 40 C + 85 C Reel
Analog Devices / Maxim Integrated Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOIC-8 Bipolar Power Si 900 MHz - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR Plazo de entrega no en existencias 3 Semanas
Min.: 6.000
Mult.: 6.000
Carrete: 3.000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT-343 Bipolar Si 45 GHz AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
Min.: 15.000
Mult.: 15.000
Carrete: 3.000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT-23 Bipolar Si 8 GHz - 65 C + 150 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicon RF TRANSISTOR Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 15.000
Mult.: 15.000
Carrete: 15.000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT TSLP Bipolar Si 14 GHz - 65 C + 150 C Reel
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 26 GHz 21 dBm + 150 C 15 dB Bulk
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET Plazo de entrega no en existencias 7 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-36265-2 Si 960 MHz to 1.6 GHz 200 W + 225 C 18.5 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-36275-4 Si 1.2 GHz to 1.4 GHz 700 W + 225 C 16 dB Reel
Mini-Circuits Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MMIC AMPLIFIER N/A
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 500

RF MOSFET Transistors SMD/SMT MCLP-4 GaAs 45 MHz to 6 GHz 20.7 dBm - 40 C + 85 C 18.6 dB Reel, Cut Tape, MouseReel

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264 No en existencias
Min.: 25
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si Tube

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264 No en existencias
Min.: 25
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 45 MHz 300 W - 55 C + 150 C 16 dB Tube
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz T2 No en existencias
Min.: 10
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3C No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 100 MHz 400 W - 55 C + 175 C 16 dB
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M208 No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT SOE-4 Si 175 MHz 300 W - 65 C + 150 C 16 dB
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174 No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 175 MHz 150 W - 65 C + 150 C 22 dB
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
Carrete: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 8 W - 65 C + 150 C 11.5 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
Carrete: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 15 W - 65 C + 150 C 14 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power Trans N-Channel Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
Carrete: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-2 Si 500 MHz 25 W + 165 C 14.5 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
Carrete: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 18 W - 65 C + 150 C 16.5 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
Carrete: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 18 W - 65 C + 150 C 16.5 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 30 W - 65 C + 150 C 14 dB Tube
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 45 W - 65 C + 150 C 13 dB Tube
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 60 W - 65 C + 150 C 14.3 dB Tube
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
Carrete: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 60 W - 65 C + 150 C 14.3 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 35 W - 65 C + 150 C 14.9 dB Tube