Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
CML Micro MWT-PH9F71
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
: 10
N-Channel GaAs 26 GHz 13 dB 28 dBm SMD/SMT Reel
CML Micro MWT-PH9F73
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
: 10
N-Channel GaAs 26 GHz 13 dB 28 dBm SMD/SMT Reel
MACOM PTFA220041M-V4-R1K
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200W, Si LDMOS, 28V, 700-22000MHz, Plastic SMT DFN No en existencias
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000
Si Reel
MACOM PTFB241402FC-V1-R250
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250
Si Reel
MACOM PTFB241402FC-V1-R0
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50
Si Reel
MACOM PTNC210604MD-V2-R5
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 60W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500
: 500
Si Reel
MACOM PTVA082407NF-V2-R5
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 240W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO288
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500
: 500
Si Reel
MACOM PXAE261908NF-V1-R5
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 240W, SiLDMOS, 28V, 2615-2515-2675 MHz
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500
: 500
Si Reel
MACOM LTA/PTNC210604MD-V2
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 10W Avg. 2110-2200 MHz LDMOS Doherty EVB
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Bulk
MACOM LTA/PTRA082808NF-V1
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LTA/PTRA082808NF-V1
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Bulk
MACOM LTA/PTRA093818NF-V1
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LTA/PTRA093818NF-V1
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Bulk
MACOM LTN/PTNC210604MD-V2
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 2110-2200 MHz, PTNC210604MD-V2 LDMOS 2-Stage RFIC included
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si
STMicroelectronics RF3L05200CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

N-Channel Si 28 V 945 MHz 16 dB 200 W Through Hole LBB-3 Reel
STMicroelectronics RF3L05400CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

N-Channel Si 28 V 500 MHz 17 dB 380 W Through Hole LBB-3 Reel
STMicroelectronics RF5L051K4CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.3 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

Si Tray
STMicroelectronics RF5L08600CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 650 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

Si Tray
CML Micro MWT-11F71
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
: 10
N-Channel GaAs 9 dB 32 dBm SMD/SMT Die Reel
CML Micro MWT-1F70
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
: 10
N-Channel GaAs 12 GHz 10 dB 26 dBm SMD/SMT Die Reel
CML Micro MWT-1F71
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
: 10
N-Channel GaAs 12 GHz 10 dB 26 dBm SMD/SMT Die Reel
CML Micro MWT-1F73
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
: 10
N-Channel GaAs 12 GHz 10 dB 26 dBm SMD/SMT Die Reel
CML Micro MWT-3F70
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10
N-Channel GaAs 500 MHz to 26 GHz 12 dB 22 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
CML Micro MWT-3F71
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
: 10
N-Channel GaAs 500 MHz to 26 GHz 12 dB 22 dBm SMD/SMT Die Reel
CML Micro MWT-3F73
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10
N-Channel GaAs 500 MHz to 26 GHz 12 dB 22 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
CML Micro MWT-7F70
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10
N-Channel GaAs 500 MHz to 26 GHz 15 dB 21 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
CML Micro MWT-7F71
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
: 10
N-Channel GaAs 500 MHz to 26 GHz 15 dB 21 dBm SMD/SMT Die Reel