Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
MACOM DU2880U
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,RF,80W,28V,2-175_MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 20
Mult.: 20
Si
MACOM LF2805A
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,5W,28V,500-1000_MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 20
Mult.: 20

Si
MACOM MRF136Y
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<400MHz,28V,30W,Mos
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si
MACOM MRF154
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,<80MHz,50V,600W
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 60 A 125 V 80 MHz 17 dB 600 W - 65 C + 150 C 368-3
MACOM MRF157MP
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,600W,80MHz,50v,Matched Pair
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 5
Mult.: 1
Si
MACOM MRF175GV
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,200W,<225MHz,28V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 10

Si Reel, Cut Tape
MACOM MRF176GU
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,200W,<225MHz,50V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10

Si
MACOM MRF176GV
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150W,<500MHz,50V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10

Si
MACOM UF2805B
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,5W,28V,100-500MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 20
Mult.: 20

Si
MACOM UF28100M
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,100W,28V,100-500MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10

Si
MACOM UF2815B
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,15W,28V,100-500MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 20
Mult.: 20

Si
MACOM UF2820P
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,20W,28V,100-500MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 20
Mult.: 20

Si
CML Micro MMA-005022C
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
N-Channel GaAs 340 mA 10 V 30 kHz to 50 GHz 15.5 dB - 40 C + 85 C SMD/SMT Die-21 Gel Pack
CML Micro MMA-012030
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
P-Channel GaAs 500 mA 12.5 V 100 MHz to 20 GHz 12.5 dB - 40 C + 85 C SMD/SMT Die Gel Pack
CML Micro MMA-012030-M4
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
: 100
P-Channel GaAs 500 mA 12.5 V 100 MHz to 20 GHz 12.5 dB - 40 C + 85 C SMD/SMT Die Reel
CML Micro MMA-012727
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
P-Channel GaAs 250 mA to 500 mA 12.5 V 100 MHz to 26.5 GHz 12.5 dB - 40 C + 85 C SMD/SMT Die Gel Pack
CML Micro MMA-012727-M4
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
: 100
P-Channel GaAs 250 mA to 500 mA 12.5 V 100 MHz to 26.5 GHz 12.5 dB - 40 C + 85 C SMD/SMT Die Reel
CML Micro MWT-5F71
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
: 10
N-Channel GaAs 500 MHz to 26 GHz 19 dB 21 dBm SMD/SMT Die Reel
CML Micro MWT-PH11F71
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
: 10
N-Channel GaAs 12 GHz 12 bB 32 dBm SMD/SMT Die Reel
CML Micro MWT-PH11FV
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
N-Channel GaAs 12 GHz 12 bB 32 dBm SMD/SMT Die Gel Pack
CML Micro MWT-PH11FV71
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
: 10
N-Channel GaAs 12 GHz 12 bB 32 dBm SMD/SMT Die Reel
CML Micro MWT-PH15F71
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
: 10
N-Channel GaAs 28 GHz 12 dB 28.5 dBm SMD/SMT Die Reel
CML Micro MWT-PH27F70
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10
N-Channel GaAs 26 GHz 16 dB 25 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
CML Micro MWT-PH27F73
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10
N-Channel GaAs 26 GHz 16 dB 25 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
CML Micro MWT-PH28F
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
N-Channel GaAs 26 GHz 13 dB 26.5 dBm Die Gel Pack