Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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SMD/SMT
H-37275G-6/2
Si
1.805 GHz to 1.88 GHz
420 W
+ 225 C
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RF MOSFET Transistors
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2.11 GHz to 2.17 GHz
430 W
+ 225 C
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941-PXFC191507FC1R2
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250
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
H-37248G-4/2
Si
1.805 GHz to 1.99 GHz
150 W
+ 225 C
20.5 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXFC192207FH-V3-R250
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941-PXFC192207FH3R2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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Mult.: 250
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250
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
H-37288G-4/2
Si
1.805 GHz to 1.99 GHz
220 W
+ 225 C
20.5 dB
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE
PXFE181507FC-V1-R0
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50:
$78.848
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N.º de artículo de Mouser
941-PXFE181507FCV1R0
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE
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RF MOSFET Transistors
Si
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE
PXFE181507FC-V1-R2
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250:
$71.030
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N.º de artículo de Mouser
941-PXFE181507FCV1R2
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE
No en existencias
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Min.: 250
Mult.: 250
Carrete :
250
RF MOSFET Transistors
Si
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
PXFE211507FC-V1-R0
MACOM
50:
$78.848
No en existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PXFE211507FCV1R0
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
No en existencias
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Min.: 50
Mult.: 50
Carrete :
50
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
PXFE211507FC-V1-R2
MACOM
250:
$71.030
No en existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PXFE211507FCV1R2
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
No en existencias
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Min.: 250
Mult.: 250
Carrete :
250
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
Reel
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor
BFU520XAR
NXP Semiconductors
1:
$750
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
771-BFU520XAR
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
1
$750
10
$459
100
$296
500
$224
1.000
$181
3.000
$133
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3.000
Detalles
RF Bipolar Transistors
SMD/SMT
SOT-143B-4
Bipolar Wideband
Si
10.5 GHz
6.5 dBm
- 40 C
+ 150 C
Reel, Cut Tape
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor
BFU530XAR
NXP Semiconductors
1:
$862
Plazo de entrega 53 Semanas
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
771-BFU530XAR
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor
Plazo de entrega 53 Semanas
1
$862
10
$532
100
$351
500
$276
1.000
$235
3.000
$179
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3.000
Detalles
RF Bipolar Transistors
SMD/SMT
SOT-143B-4
Bipolar Wideband
Si
11 GHz
10 dBm
- 40 C
+ 150 C
Reel, Cut Tape