-ar Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K9FHU/SOT1214/TRAY
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187En existencias
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Dual N-Channel LDMOS 55 V 69 mOhms 1 MHz to 500 MHz 24.6 dB 1.9 kW + 225 C Screw Mount SOT539A-5 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PE/REELDP
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71En existencias
MouseReel Disponible
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: 100

N-Channel LDMOS 65 V 497 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31.2 dB 150 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FES/SOT539/TRAY
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501En existencias
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Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PEG/REEL
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140En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 100

N-Channel LDMOS 65 V 497 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31.2 dB 150 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART700FHS/SOT1214/TRAY
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58En existencias
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Dual N-Channel LDMOS 55 V 171 mOhms 1 MHz to 450 MHz 28.6 dB 700 W + 225 C SMD/SMT SOT1214B-5 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART800PEG/OMP780/REEL
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82En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 200 mOhms 1 MHz to 650 MHz 29.2 dB 800 W + 225 C SMD/SMT OMP-780-4G-1-4 Reel, Cut Tape, MouseReel

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART35FE/SOT467C/TRAY
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248En existencias
120En pedido
Min.: 1
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N-Channel LDMOS 65 V 1.6 Ohms 1 MHz to 650 MHz 31 dB 35 W + 225 C Screw Mount SOT467C-3 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART700FH/SOT1214/TRAY
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117En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel LDMOS 55 V 171 mOhms 1 MHz to 450 MHz 28.6 dB 700 W + 225 C Screw Mount SOT1214A-5 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6FH/SOT539/TRAY
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78En existencias
Min.: 1
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Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C Screw Mount SOT539AN-5 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FE/SOT539/TRAY
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123En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C Screw Mount SOT539AN-5 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150FE/SOT467C/TRAY
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83En existencias
Min.: 1
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N-Channel LDMOS 65 V 482 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31 dB 150 W + 225 C Screw Mount SOT467C-3 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART450FE/SOT1121/TRAY
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1En existencias
Más información disponible
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Mult.: 1

Dual N-Channel LDMOS 65 V 340 mOhms 1 MHz to 650 MHz 27 dB 450 W + 225 C Screw Mount SOT1121A-5 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0PE/OMP-1230/REEL
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4F-1-5 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0PEG/OMP-1230/REEL
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4G-1-5 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0PEG/OMP-1230/TRAY
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
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Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4G-1-5 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PEG/REEL
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
: 500

N-Channel LDMOS 65 V 497 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31.2 dB 150 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PE/REELDP
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
: 500

N-Channel LDMOS 65 V 497 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31.2 dB 150 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FES/SOT539/TRAY
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0PE/OMP-1230/TRAY
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4F-1-5 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PH/1/OMP-1230/REEL
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

LDMOS 177 V 1 MHz to 450 MHz 27.3 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6FHG/SOT1248/REEL
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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: 100

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT SOT1248C-5 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFE/ACC-1230/REEL
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
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: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 107 mOhms 1 MHz to 400 MHz 29 dB 2 kW + 225 C Screw Mount ACC-1230-6F-3-7 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FEG/SOT1248/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT SOT1248C-5 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART700FHG/SOT1214/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

Dual N-Channel LDMOS 55 V 171 mOhms 1 MHz to 450 MHz 28.6 dB 700 W + 225 C SMD/SMT SOT1214C-5 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6FHS/SOT539/TRAY
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray