Semiconductores discretos

Semiconductores discretos
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Resultados: 245.870
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BIPOLAR COMP.
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147.651En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-563-6
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
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268.819En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-563-6
Vishay Semiconductors Rectificadores 2.5 Amp 1500 Volt
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Rectifiers Through Hole DO-201AD
Vishay Semiconductors Rectificadores en puente 40A,800V Enhanced Power Bridge
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Bridge Rectifiers Through Hole SIP-4
Vishay Semiconductors Rectificadores en puente 45 A 600 Volts Enhanced Power
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Bridge Rectifiers Through Hole SIP-4
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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79.744En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TDSON-8
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
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7.871En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
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8.959En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
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805En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
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1.148En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
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2.003En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
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408En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS IGBTs XPT 600V IGBT 300A
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686En existencias
300En pedido
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-3
IXYS IGBTs TO247 1200V 85A XPT
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1.397En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
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1.256En existencias
150Se espera el 21-05-2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
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1.258En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja 0.1A 200V Switching High-Speed Diode
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21.380En existencias
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Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT SC-61
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-220SM-3
Nexperia Rectificadores y diodos Schottky PMEG100T150ELPE/SOT1289B/CFP15
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90.602En existencias
5.000En pedido
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT SOT-1289B-3 (CFP15B-3)

Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 20V 3A
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59.560En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-363-6
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
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330.299En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-3

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 80V 3.8A
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158.439En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TSOP-6
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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7.234En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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23.258En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8