Transistores

Transistores
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Resultados: 44.646
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
onsemi Transistores digitales 100mA 50V BRT PNP
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541.205En existencias
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: 8.000

Digital Transistors SMD/SMT SOT-723-3 PNP
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V D2PAK PKG
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3.708En existencias
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: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -15.5A P-Channel
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107.461En existencias
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: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT TO-252-4 P-Channel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM
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67.042En existencias
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: 1.500

MOSFETs Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel

onsemi MOSFETs de SiC 20MW 1200V
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937En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL
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8.799En existencias
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: 1.500

MOSFETs Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms
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6.815En existencias
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: 1.500

MOSFETs Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V 250MA 1.5OH
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936.642En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel
MACOM GaN FETs 500W, GaN HEMT, 50V, 2.7-3.1GHz, PULSED,
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20En existencias
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GaN FETs GaN Screw Mount 440217 N-Channel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC
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15.346En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
onsemi MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4
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3.299En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
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3.786En existencias
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: 3.000

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerFLAT (5x5) N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
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6.489En existencias
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
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3.647En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) NCh RF Transistor
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393.777En existencias
134.790En pedido
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JFETs Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2523-6 T&R 3K
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107.289En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT U-DFN2523-6 P-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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6.430En existencias
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: 1.800

MOSFETs Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
IXYS IGBTs TO268 3KV 42A IGBT
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2.747En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBTs 4000V 425ns IGBT
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1.904En existencias
300En pedido
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IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS264-3
IXYS Módulos MOSFET 600V 64A
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898En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS
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3.528En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
IXYS Módulos IGBT Mid-Frequency Range PT IGBTs
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462En existencias
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IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA
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21.819En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
IXYS IGBTs Disc IGBT XPT Gen4 1200V 140A TO264
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2.915En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A
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282.627En existencias
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: 8.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel