MOSFETs de SiC

MOSFETs de SiC
SiC MOSFETs are available at Mouser Electronics from industry leading manufacturers. Mouser is an authorized distributor for many SiC MOSFET manufacturers including Infineon, Microchip, Navitas Semiconductor, onsemi, ROHM Semiconductor, STMicroelectronics, Wolfspeed & more. Please view our large selection of SiC MOSFETs below.
Resultados: 1.322
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
onsemi MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4
Hoja de datos
3.299En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
3.914En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC

IXYS MOSFETs de SiC 1200V 80mOhm SiC MOSFET
Hoja de datos
4.159En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 80 mOhms - 5 V, + 20 V 2.8 V 95 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
Hoja de datos
1.458En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
Hoja de datos
2.422En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
Diodes Incorporated DMWSH120H37SM4
Diodes Incorporated MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
Hoja de datos
30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
781En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 150 mW Enhancement CoolSiC
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4
Hoja de datos
150En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 112 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 215 nC - 55 C + 175 C 524 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 60mO, 650V, TO-247-3, Industrial
Hoja de datos
411En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-247-3, Industrial
Hoja de datos
3.481En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC 1.2kV 75mOHMS E3M AUTO AECQ101
Hoja de datos
372En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 75 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 55 nC - 55 C + 175 C 145 W Enhancement AEC-Q101
Microchip Technology MOSFETs de SiC FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
Hoja de datos
982En existencias
210En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 77 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 283 W Enhancement
SemiQ MOSFETs de SiC 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET
Hoja de datos
30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 119 A 18 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 216 nC - 55 C + 175 C 564 W Enhancement
SemiQ MOSFETs de SiC 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET
Hoja de datos
25En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC
Hoja de datos
321En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO263
Hoja de datos
787En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 56A N-CH SIC
Hoja de datos
804En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/53MOSICFETG4TO247-3
Hoja de datos
618En existencias
600En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG4TO247-4
Hoja de datos
396En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247
Hoja de datos
608En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TO247
Hoja de datos
545En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TO247
Hoja de datos
1.877En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET

IXYS MOSFETs de SiC 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
Hoja de datos
548En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 22 A 200 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V 57 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Hoja de datos
651En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 47 A 45 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 46 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
Hoja de datos
Comentarios de Producto
199En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 95 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 178 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101