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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1.576

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Fabricante = IXYS

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Paquete / Cubierta

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS

IXFP72N20X3
IXYS
1: $10.707
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IXFP72N20X3

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747-IXFP72N20X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS

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$10.707

$5.925

$5.634

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

72 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA

IXTY08N50D2
IXYS
1: $4.110
21.819En existencias

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IXTY08N50D2

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747-IXTY08N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA

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21.819En existencias

$4.110

$1.982

$1.758

$1.568

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Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

800 mA

4.6 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

12.7 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

IXFA10N80P
IXYS
1: $6.205
8.959En existencias

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IXFA10N80P

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747-IXFA10N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

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$6.205

$3.259

$2.968

$2.733

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

1.1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET

IXFK240N25X3
IXYS
1: $36.008
805En existencias

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IXFK240N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK240N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET

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805En existencias

$36.008

$27.552

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Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

250 V

240 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

345 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IXFX64N60P
IXYS
1: $26.163
1.148En existencias

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IXFX64N60P

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747-IXFX64N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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$26.163

$17.886

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

64 A

96 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

200 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS

IXTA86N20X4
IXYS
1: $14.930
2.003En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA86N20X4

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA86N20X4

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS

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$14.930

$8.702

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

86 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 400A

IXFH400N075T2
IXYS
1: $16.587
3.347En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH400N075T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH400N075T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 400A

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3.347En existencias

$16.587

$11.850

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

75 V

400 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

420 nC

- 55 C

+ 175 C

1 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

IXFK150N30P3
IXYS
1: $25.693
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75En pedido

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IXFK150N30P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK150N30P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

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1.540En existencias

75En pedido

$25.693

$17.483

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

300 V

150 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

197 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V

IXFK230N20T
IXYS
1: $29.198
903En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK230N20T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK230N20T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V

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$29.198

$21.179

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

200 V

230 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

358 nC

- 55 C

+ 175 C

1.67 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ISOPLUS 4.7KV 2A N-CH HIVOLT

IXTL2N470
IXYS
1: $117.846
344En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTL2N470

N.º de artículo de Mouser
747-IXTL2N470

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ISOPLUS 4.7KV 2A N-CH HIVOLT

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$117.846

$114.072

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

ISOPLUS-i5-PAK-3

N-Channel

1 Channel

4.7 kV

2 A

20 Ohms

- 20 V, 20 V

3.5 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

220 W

Enhancement

ISOPLUS i5-PAC

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A

IXTA6N100D2
IXYS
1: $10.427
3.774En existencias
1.950En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXTA6N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA6N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A

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3.774En existencias

1.950En pedido

$10.427

$6.518

$6.328

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263AA-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

6 A

2.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-268AA

IXTT1N250HV
IXYS
1: $50.949
304En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTT1N250HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT1N250HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-268AA

Hoja de datos

304En existencias

$50.949

$41.821

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

2.5 kV

1.5 A

40 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-264 Power MOSFET

IXFK32N100X
IXYS
1: $27.171
194En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK32N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK32N100X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-264 Power MOSFET

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Hoja de datos

194En existencias

$27.171

$20.798

$18.917

$15.770

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

32 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

130 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

IXTK600N04T2
IXYS
1: $28.246
186En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTK600N04T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK600N04T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

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Hoja de datos

186En existencias

$28.246

$23.106

$20.003

$16.666

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

40 V

600 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

590 nC

- 55 C

+ 175 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD

IXTX240N075L2
IXYS
1: $43.523
413En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTX240N075L2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTX240N075L2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD

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Hoja de datos

413En existencias

$43.523

$35.605

$31.450

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

75 V

240 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

546 nC

- 55 C

+ 150 C

960 W

Enhancement

LinearL2

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/44A

IXFB44N100Q3
IXYS
1: $56.202
66En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFB44N100Q3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB44N100Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/44A

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Hoja de datos

66En existencias

$56.202

$45.136

$39.547

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PLUS-264-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

44 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

264 nC

- 55 C

+ 150 C

1.56 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1 Amps 1200V 20 Rds

IXTP1N120P
IXYS
1: $2.901
1.111En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP1N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP1N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1 Amps 1200V 20 Rds

Hoja de datos

1.111En existencias

$2.901

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

1 A

20 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

17.6 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 24A N-CH X2CLASS

IXTH24N65X2
IXYS
1: $8.691
586En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH24N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH24N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 24A N-CH X2CLASS

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Hoja de datos

586En existencias

$8.691

$5.029

$4.480

$4.301

$4.099

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

145 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8 Amps 1500V

IXTK8N150L
IXYS
1: $51.542
398En existencias
600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXTK8N150L

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK8N150L

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8 Amps 1500V

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Hoja de datos

398En existencias

600En pedido

$51.542

$43.960

$38.461

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

8 A

3.6 Ohms

- 30 V, 30 V

8 V

250 nC

- 55 C

+ 150 C

700 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 360Amps 55V

IXTT360N055T2
IXYS
1: $15.254
428En existencias
530En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXTT360N055T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT360N055T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 360Amps 55V

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Hoja de datos

428En existencias

530En pedido

$15.254

$9.274

$7.952

$7.706

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

55 V

360 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

330 nC

- 55 C

+ 175 C

935 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET

IXFT94N30T
IXYS
1: $23.867
169En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT94N30T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT94N30T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET

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Hoja de datos

169En existencias

$23.867

$20.406

$16.330

$13.608

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

94 A

36 mOhms

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds

IXFB100N50P
IXYS
1: $36.859
467En existencias
300Se espera el 18-05-2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFB100N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB100N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds

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Hoja de datos

467En existencias

300Se espera el 18-05-2026

$36.859

$30.162

$26.107

$25.234

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PLUS-264-3

N-Channel

1 Channel

500 V

100 A

49 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

240 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A

IXFH18N100Q3
IXYS
1: $22.826
262En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH18N100Q3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH18N100Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A

Obtenga más información

Hoja de datos

262En existencias

$22.826

$15.669

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

18 A

660 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

830 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2

IXFH60N65X2
IXYS
1: $14.482
874En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH60N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH60N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2

Obtenga más información

Hoja de datos

874En existencias

$14.482

$8.770

$8.366

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

52 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

780 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHT HiperFET 100v, 170A

IXFK170N10P
IXYS
1: $16.946
1.383En existencias
331En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXFK170N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK170N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHT HiperFET 100v, 170A

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

100 V

170 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

198 nC

- 55 C

+ 175 C

714 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-2 (TO-263-2)
D2PAK-3 (TO-263-3)
D3PAK-3 (TO-268-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
ISOPLUS-DIL-17
ISOPLUS-i4-PAC-5
ISOPLUS-i4-PAK-3
ISOPLUS-i4-PAK-5
ISOPLUS-i5-PAK-3
ISOPLUS-i5-PAK-5
PLUS-264-3
SMD-24
SMPD-24
SOIC-16
SOIC-8
SOT-223-2
SOT-223-3
SOT-23-3
SOT-89-3
TO-220-3

20 V
36 V
40 V
50 V
55 V
60 V
65 V
70 V
75 V
80 V
85 V
100 V
105 V
120 V
135 V
150 V
170 V
175 V
200 V
250 V

5 mA
20 mA
100 mA
200 mA
220 mA
300 mA
360 mA
400 mA
600 mA
700 mA
750 mA
800 mA
900 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.6 A
1.83 A
2 A

1 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
1.99 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.65 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms

4.3 nC
4.7 nC
5.8 nC
6.9 nC
7 nC
7.4 nC
7.8 nC
8.3 nC
9 nC
10.6 nC
11 nC
11.3 nC
11.8 nC
11.9 nC
12 nC
12.7 nC
13 nC
13.3 nC
14 nC
14.2 nC

1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
80 mW
320 mW
400 mW
470 mW
1.1 W
1.4 W
1.6 W
1.8 W
2.25 W
2.5 W
25 W
30 W

BIMOSFET
Clare
CoolMOS
CoolMOS, HiPerDyn
CoolMOS, ISOPLUS247
HiPerFET
HiPerFET, ISOPLUS i4-PAC
HyperFET
ISOPLUS
ISOPLUS-DIL
ISOPLUS i5-PAC
Linear
LinearL2
Linear L2
Linear L2T
Polar
Polar2 HiPerFET
Polar3
Polar3, HiperFET
PolarHT