Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

Transistor de unión de efecto de campo (JFET)
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Voltaje de corte puerta-fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Calificación
Empaquetado
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
15En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3 P-Channel Single 30 V 750 mV to 6 V - 5 mA to - 1 mA 300 mW - 65 C + 200 C Bulk
Central Semiconductor Transistor de unión de efecto de campo (JFET) N-Ch 25Vdg JFET 25Vgs 30mA 10mA
Hoja de datos
4.038En existencias
2.351En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel Bulk

Central Semiconductor Transistor de unión de efecto de campo (JFET) N-Ch JFET 40Vgd 40Vgs 40Vds 350mW
Hoja de datos
5.610En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 40 V 40 V 10 V 150 mA 50 mA 30 Ohms 350 mW - 65 C + 150 C CMPF4391 Reel, Cut Tape
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -30V Low Noise
Hoja de datos
149En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-18-3 N-Channel Single 15 V - 30 V - 4 V 80 mA 500 pA 60 Ohms 1.8 W 2N486 Bulk
Central Semiconductor Transistor de unión de efecto de campo (JFET) N-Ch 35Vgd 35Vgs 35Vds 10mA 300mW
Hoja de datos
2.294En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-72-4 N-Channel Single 35 V 35 V 6 V 15 mA 300 mW - 65 C + 200 C 2N4416A Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -25V Low Noise
Hoja de datos
140En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-52-3 N-Channel Single 10 V - 25 V - 6 V 60 mA 1 nA 500 mW (1/2 W) U308 Bulk
Central Semiconductor Transistor de unión de efecto de campo (JFET) N-ChJFET 25Vds25Vdg 25Vgs 10mA 310mW
Hoja de datos
2.696En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si N-Channel 2N5459 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise & Capacitance, High Input Impedance, N-Channel JFET
Hoja de datos
68En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 40 V - 40 V - 2 V 30 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK170 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
82En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 30 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Tube
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise & Capacitance, High Input Impedance, N-Channel JFET
Hoja de datos
93En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 40 V - 40 V - 2 V 6.5 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK170 Cut Tape
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100En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 12 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Cut Tape
Central Semiconductor Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 8V,10mA,360mW Through-Hole JFET N Channel
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344En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET
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102En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Cut Tape
Central Semiconductor CMPF5485 TR PBFREE
Central Semiconductor Transistor de unión de efecto de campo (JFET) N-Channel Silicon JFET
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14.728En existencias
MouseReel Disponible
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Mult.: 1
: 3.000

Si SOT-23 N-Channel Reel, Cut Tape, MouseReel
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 40 V - 40 V - 2 V 20 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK170 Cut Tape
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17En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 11.5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Cut Tape
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: 2.000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel Ammo Pack
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
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29En existencias
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Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
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81En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
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72En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Cut Tape
Central Semiconductor Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 8V,10mA,360mW Through-Hole JFET N Channel 377En existencias
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: 2.000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel Reel, Cut Tape
Central Semiconductor 2N4416A PBFREE
Central Semiconductor Transistor de unión de efecto de campo (JFET) N-Ch 35Vgd 35Vgs 35Vds 10mA 300mW
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1.371En existencias
Min.: 1
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Si N-Channel Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET
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206En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
131En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 6.5 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
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62En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Tube