Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
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Enhancement
OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
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Si
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Si
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OptiMOS
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Si
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TDSON-8
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1 Channel
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Enhancement
OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
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Detalles
OptiMOS
Reel, Cut Tape
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
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OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 40A TDSON-8
BSZ042N06NSATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 40A TDSON-8
39.133 En existencias
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Si
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OptiMOS
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
78.455 En existencias
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Detalles
Si
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Infineon Technologies
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Si
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Enhancement
AEC-Q101
OptiMOS
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Infineon Technologies
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Si
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OptiMOS
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
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Si
SMD/SMT
TSDSON-8
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1 Channel
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Enhancement
OptiMOS
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
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Si
SMD/SMT
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC110N06NS3 G
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IAUC120N06S5N022ATMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
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AEC-Q101
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ050N03LS G
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-BSZ050N03LSG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
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Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
40 A
6.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
26 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
Enhancement
OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IAUC41N06S5L100ATMA1
Infineon Technologies
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726-IAUC41N06S5L100A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
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Si
SMD/SMT
TDSON-8-3
N-Channel
1 Channel
60 V
41 A
10 mOhms
- 16 V, 16 V
1.7 V
12.7 nC
- 55 C
+ 175 C
42 W
Enhancement
AEC-Q101
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB011N04L G
Infineon Technologies
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726-IPB011N04LG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
40 V
180 A
800 uOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
346 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel