PJD Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 10
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2.989En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 33 A 30.7 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2.881En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 40 V 61 A 17.2 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2.532En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 77 A 13.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 54 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2.927En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 40 V 67 A 14.3 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2.888En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 42 A 15 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 3.000En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 48 A 12.1 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 34 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2.927En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 88 A 6.4 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 68 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 3.000En existencias
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: 3.000

Si AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2.783En existencias
3.000En pedido
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: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 35 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 1.125En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 40 V 45 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 19 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel