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OptiMOS-T Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 16

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Serie = OptiMOS-T

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD30N10S3L-34
Infineon Technologies
1: $2.229
3.124En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N10S3L-34

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N10S3L34

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T

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3.124En existencias

Cinta cortada

$2.229

$1.422

$983

$833

$721

Envase tipo carrete

$663

MouseReel Disponible

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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

30 A

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- 20 V, 20 V

1.2 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

57 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD90N04S3-04
Infineon Technologies
1: $3.349
1.725En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S3-04

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S3-04

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

1.725En existencias

Cinta cortada

$3.349

$3.293

Envase tipo carrete

$1.165

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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90 A

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD50N04S3-08
Infineon Technologies
1: $2.408
2.130En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N04S3-08

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S3-08

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

2.130En existencias

Cinta cortada

$2.408

$1.646

$1.142

$965

$806

Envase tipo carrete

$767

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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50 A

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68 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB35N10S3L-26
Infineon Technologies
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980En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB35N10S3L-26

N.º de artículo de Mouser
726-IPB35N10S3L-26

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

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980En existencias

Cinta cortada

$3.326

$2.150

$1.534

$1.310

Envase tipo carrete

$1.110

MouseReel Disponible

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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39 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS-T

IPP100N10S3-05
Infineon Technologies
1: $6.048
409En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP100N10S3-05

N.º de artículo de Mouser
726-IPP100N10S305

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS-T

Hoja de datos

409En existencias

$6.048

$4.043

$3.898

$3.830

Ver

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

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100 A

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- 20 V, 20 V

4 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB70N10S3-12
Infineon Technologies
1: $4.211
725En existencias
1.000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N10S3-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N10S312

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

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725En existencias

1.000En pedido

Cinta cortada

$4.211

$2.744

$2.150

$1.848

Envase tipo carrete

$1.568

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

100 V

70 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB100N10S3-05
Infineon Technologies
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415En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB100N10S3-05

N.º de artículo de Mouser
726-IPB100N10S305

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

415En existencias

Cinta cortada

$5.690

$4.256

$3.394

$3.349

Envase tipo carrete

$3.237

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB70N10S3L-12
Infineon Technologies
1: $4.278
2.884En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N10S3L-12

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726-IPB70N10S3L-12

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

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2.884En existencias

Cinta cortada

$4.278

$2.800

$1.960

$1.669

Envase tipo carrete

$1.534

MouseReel Disponible

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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100 V

70 A

12 mOhms

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1.7 V

60 nC

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+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD35N10S3L-26
Infineon Technologies
1: $2.598
4.782En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD35N10S3L-26

N.º de artículo de Mouser
726-IPD35N10S3L26

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

4.782En existencias

Cinta cortada

$2.598

$1.658

$1.154

$972

$841

Envase tipo carrete

$773

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

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- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD50N10S3L-16
Infineon Technologies
1: $3.371
2.500En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N10S3L-16

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N10S3L16

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

2.500En existencias

Cinta cortada

$3.371

$2.195

$1.434

$1.085

Envase tipo carrete

$1.085

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD70N10S3L-12
Infineon Technologies
1: $3.562
5.815En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD70N10S3L-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70N10S3L12

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

5.815En existencias

Cinta cortada

$3.562

$3.483

$2.666

$2.229

$1.915

Envase tipo carrete

$1.288

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB50N10S3L-16
Infineon Technologies
1: $3.942
990En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB50N10S3L-16

N.º de artículo de Mouser
726-IPB50N10S3L16

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

990En existencias

Cinta cortada

$3.942

$2.565

$1.781

$1.445

Envase tipo carrete

$1.254

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

15.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD70N10S3-12
Infineon Technologies
1: $3.483
346En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD70N10S3-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70N10S312

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

346En existencias

Cinta cortada

$3.483

$2.341

$1.691

$1.422

$1.366

Envase tipo carrete

$1.322

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

11.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD50N04S3-09
Infineon Technologies
2.500: $716
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N04S3-09

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S3-09

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

Envase tipo carrete

$716

Min.: 2.500
Mult.: 2.500

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

63 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD80N04S3-06
Infineon Technologies
2.500: $1.021
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD80N04S3-06

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80N04S3-06

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

Envase tipo carrete

$1.021

Min.: 2.500
Mult.: 2.500

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD90N04S3-H4
Infineon Technologies
2.500: $1.221
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S3-H4

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S3-H4

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

Envase tipo carrete

$1.221

Min.: 2.500
Mult.: 2.500

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel

OptiMOS-T Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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