5100 Transistores

Resultados: 31
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 100V 21A 2.100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

MOSFETs Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 417A 4.126En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK-16 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN9R5-100BS/SOT404/D2PAK 1.011En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V N-CH MOSFET 1.857En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK-4 N-Channel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-Channel 100V (D-S), PowerPAK SO-8S, 2.5 mohm at 10V 394En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT SO-8S N-Channel

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 100V HIGH GAIN 19.747En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.790
: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 NPN

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Medium Power 10.839En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 740
: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 NPN
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 100V NPN High Gain 180V 85mOhm 399En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-223-4 NPN

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 100V 1A 1.646En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS Low Sat Transist 2.211En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Medium Power 212En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 100V HIGH GAIN 667En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.000
: 1.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-223-4 NPN
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 115A 1.015En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY 53En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs GaN Si Screw Mount SOT467C-3 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y65-100E/SOT669/LFPAK 13.467En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3A N-Channel 12.818En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.440
: 1.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 19A 2.182En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

MOSFETs Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 55A N-CH MOSFET 168En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

MOSFETs Si SMD/SMT SO8-4 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9675-100A/SOT404/D2PAK 539En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 69A 272En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K45-100E/SOT1205/LFPAK56D 67En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

MOSFETs Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y15-100E/SOT669/LFPAK 1.433En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 100V 21.4A 2.332En existencias
1.500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

MOSFETs Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Q25-100L/SOT8002/MLPAK33 320En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K35-100L/SOT1205/LFPAK56D 9En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

MOSFETs Si SMD/SMT Power SO-8 N-Channel