Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)
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3.8 mOhms
20 V
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107 nC
- 55 C
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150 V
170 A
3.8 mOhms
20 V
4 V
67 nC
- 55 C
+ 175 C
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PG-HDSOP-16-1
N-Channel
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150 V
170 A
3.8 mOhms
20 V
4 V
67 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
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PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
199 A
1.25 mOhms
16 V
1.8 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
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SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
117 A
2.56 mOhms
16 V
1.8 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
65 W
Enhancement
OptiMOS
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SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
3.05 mOhms
16 V
1.8 V
18 nC
- 55 C
+ 175 C
58 W
Enhancement
OptiMOS
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PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
99 A
4.6 mOhms
20 V
3.2 V
27.2 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
Enhancement
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SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
27 A
28.9 mOhms
16 V
2 V
10.9 nC
- 55 C
+ 175 C
45 W
Enhancement
OptiMOS
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IAUZN10S7N078ATMA1
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SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
76 A
7.8 mOhms
20 V
3.2 V
22.2 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
Enhancement
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Reel, Cut Tape
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$2.733
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$1.915
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$1.613
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SMD/SMT
PG-TSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
178 mA
2.2 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
125 mW
Enhancement
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$1.534
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SMD/SMT
PG-TTFN-9
N-Channel
1 Channel
80 V
127 A
3.15 mOhms
20 V
2.3 V
33 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
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IQE031N08LM6CGSCATMA1
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$2.621
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$2.240
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$2.128
6.000
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SMD/SMT
PG-WHTFN-9
N-Channel
1 Channel
80 V
127 A
3.15 mOhms
20 V
2.3 V
26 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
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$2.498
100
$1.736
500
$1.445
1.000
Ver
6.000
$1.288
1.000
$1.389
2.500
$1.378
6.000
$1.288
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SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
25 V
298 A
500 uOhms
16 V
2 V
27 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
IQEH68NE2LM7UCGATMA1
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$2.117
100
$1.456
500
$1.187
1.000
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$1.037
1.000
$1.096
2.500
$1.089
5.000
$1.037
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SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
25 V
338 A
680 uOhms
16 V
2 V
22 nC
- 55 C
+ 175 C
130 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
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$1.960
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$1.355
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6.000
$942
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SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
25 V
282 A
800 uOhms
16 V
2 V
17.2 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
IQEH84NE2LM7UCGATMA1
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10
$1.848
100
$1.266
500
$1.005
1.000
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5.000
$867
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$915
2.500
$911
5.000
$867
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SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
25 V
275 A
840 uOhms
16 V
2 V
17.2 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
ISC009N06NM6ATMA1
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$4.110
10
$2.845
100
$2.430
500
$2.352
1.000
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5.000
$2.027
1.000
$2.285
2.500
$2.218
5.000
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SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
344 A
900 uOhms
20 V
3.3 V
97 nC
- 55 C
+ 175 C
221 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
ISC011N04NM7VATMA1
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726-ISC011N04NM7VATM
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4.173 En existencias
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$2.576
10
$1.669
100
$1.131
500
$897
1.000
$823
5.000
$783
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
256 A
1.05 mOhms
20 V
3.15 V
37 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
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Reel, Cut Tape
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ISC019N08NM7ATMA1
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3.15 V
117 nC
- 55 C
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214 W
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85 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
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