OptiMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3
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6.621En existencias
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Min.: 1
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: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 93 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 20 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
3.391En existencias
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Min.: 1
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: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3
Hoja de datos
9.298En existencias
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Min.: 1
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: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 P-Channel 1 Channel 30 V 78.6 A 6.1 mOhms - 25 V, 25 V 3.1 V 57.7 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
Hoja de datos
10.242En existencias
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Min.: 1
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: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 28 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
9.900En existencias
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Min.: 1
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: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 114 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 45 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
49.586En existencias
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Min.: 1
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: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 18 A 38 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9.1 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2
Hoja de datos
581En existencias
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Min.: 1
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: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
8.692En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 59 A 6.3 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
4.846En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.5 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 14 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
Hoja de datos
870En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 98 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
Hoja de datos
873En existencias
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Min.: 1
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: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.58 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 134 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 73A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
5.036En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 73 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 40 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2
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3.837En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 88 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 87 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
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2.500En existencias
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Min.: 1
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: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 49 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
Hoja de datos
8.852En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 7.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
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5.328En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 52 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
Hoja de datos
5.578En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 206 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
Hoja de datos
4.846En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 120 V 120 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 211 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3
Hoja de datos
2.822En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 150 V 130 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 93 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
Hoja de datos
879En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 98 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
Hoja de datos
1.092En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 118 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
Hoja de datos
991En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 800 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 286 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2
Hoja de datos
3.513En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 30 A 9 mOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
Hoja de datos
1.204En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 75 V 30 A 17.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 57 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
Hoja de datos
3.971En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 50 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 31 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape