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OptiMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 794

Filtros aplicados:

Nombre comercial = OptiMOS

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

Restablecer todos

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Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD30N03S4L-14
Infineon Technologies
1: $1.221
8.732En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N03S4L-14

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N03S4L-14

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

8.732En existencias

Cinta cortada

$1.221

$766

$502

$389

$352

Envase tipo carrete

$291

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

13.6 mOhms

- 16 V, 16 V

1.5 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

31 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

IPD30N08S2-22
Infineon Technologies
1: $2.722
2.349En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N08S2-22

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S2-22

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

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Hoja de datos

2.349En existencias

Cinta cortada

$2.722

$1.747

$1.187

$987

$869

Envase tipo carrete

$855

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

30 A

17.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPD100N06S403ATMA2
Infineon Technologies
1: $3.035
3.735En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD100N06S403ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD100N06S403ATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

Hoja de datos

3.735En existencias

Cinta cortada

$3.035

$1.926

$1.355

$1.095

$1.094

Envase tipo carrete

$1.023

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD50N04S3-08
Infineon Technologies
1: $2.408
2.130En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N04S3-08

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S3-08

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

2.130En existencias

Cinta cortada

$2.408

$1.646

$1.142

$965

$806

Envase tipo carrete

$767

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC018N04LS G
Infineon Technologies
1: $2.094
9.890En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC018N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC018N04LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

9.890En existencias

Cinta cortada

$2.094

$990

$740

$627

$614

Envase tipo carrete

$614

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC018NE2LS
Infineon Technologies
1: $1.814
5.050En existencias
5.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC018NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC018NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

5.050En existencias

5.000En pedido

Cinta cortada

$1.814

$1.154

$498

Envase tipo carrete

$498

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSZ099N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.534
15.811En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ099N06LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ099N06LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

15.811En existencias

Cinta cortada

$1.534

$986

$638

$514

$424

Envase tipo carrete

$396

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

9.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

6.9 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

IPP041N12N3 G
Infineon Technologies
1: $5.880
996En existencias
1.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP041N12N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP041N12N3GXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

996En existencias

1.000En pedido

$5.880

$3.909

$3.170

$2.800

$2.486

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

120 V

120 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

211 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3

IPP075N15N3GXKSA1
Infineon Technologies
1: $4.334
1.699En existencias
2.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP075N15N3GXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP075N15N3GXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3

Hoja de datos

1.699En existencias

2.000En pedido

$4.334

$1.904

$1.758

$1.736

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

100 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

93 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 56A TO220-3 OptiMOS 3

IPP147N12N3 G
Infineon Technologies
1: $2.262
2.719En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP147N12N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP147N12N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 56A TO220-3 OptiMOS 3

Hoja de datos

2.719En existencias

$2.262

$1.093

$979

$711

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

120 V

56 A

14.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT020N10N3
Infineon Technologies
1: $5.723
1.993En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPT020N10N3

N.º de artículo de Mouser
726-IPT020N10N3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Hoja de datos

1.993En existencias

Cinta cortada

$5.723

$3.808

$3.080

$2.733

$2.654

Envase tipo carrete

$2.419

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

300 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD30N10S3L-34
Infineon Technologies
1: $2.229
3.124En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N10S3L-34

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N10S3L34

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

3.124En existencias

Cinta cortada

$2.229

$1.422

$983

$833

$721

Envase tipo carrete

$663

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

30 A

31 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

57 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC009NE2LS
Infineon Technologies
1: $2.531
4.971En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC009NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC009NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

Hoja de datos

4.971En existencias

Cinta cortada

$2.531

$1.613

$745

Envase tipo carrete

$697

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

168 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC042N03LS G
Infineon Technologies
1: $1.579
6.621En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC042N03LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC042N03LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

6.621En existencias

Cinta cortada

$1.579

$992

$659

$515

Ver

Envase tipo carrete

$413

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

93 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC076N06NS3 G
Infineon Technologies
1: $2.050
3.491En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC076N06NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC076N06NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

3.491En existencias

Cinta cortada

$2.050

$1.310

$867

$711

Ver

Envase tipo carrete

$564

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3

BSC084P03NS3 G
Infineon Technologies
1: $1.736
9.298En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC084P03NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC084P03NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3

Hoja de datos

9.298En existencias

Cinta cortada

$1.736

$1.093

$725

$572

Ver

Envase tipo carrete

$455

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

P-Channel

1 Channel

30 V

78.6 A

6.1 mOhms

- 25 V, 25 V

3.1 V

57.7 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

BSC110N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.640
10.242En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC110N15NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC110N15NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

Obtenga más información

Hoja de datos

10.242En existencias

Cinta cortada

$3.640

$2.509

$1.938

$1.691

Ver

Envase tipo carrete

$1.534

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

76 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ028N04LSATMA1
Infineon Technologies
1: $1.837
10.000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ028N04LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ028N04LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

10.000En existencias

Cinta cortada

$1.837

$1.165

$773

$606

Ver

Envase tipo carrete

$449

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

114 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3

BSZ16DN25NS3 G
Infineon Technologies
1: $2.878
4.460En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ16DN25NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ16DN25NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

4.460En existencias

Cinta cortada

$2.878

$1.859

$1.333

$1.109

$961

Envase tipo carrete

$961

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

250 V

10.9 A

146 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

11.4 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ440N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
1: $1.288
49.589En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ440N10NS3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ440N10NS3GATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

49.589En existencias

Cinta cortada

$1.288

$825

$543

$421

$349

Envase tipo carrete

$323

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

18 A

38 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.1 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

BSC030N03MSGATMA1
Infineon Technologies
1: $1.579
5.000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC030N03MSGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N03MSGATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

Hoja de datos

5.000En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

$1.579

$986

$653

$511

$435

Envase tipo carrete

$393

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

73 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC067N06LS3GATMA1
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC014N06NS
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

1.45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

89 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

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BSC118N10NS G
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TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

11 A

11.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB020NE7N3 G
Infineon Technologies
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IPB020NE7N3 G

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726-IPB020NE7N3GXT

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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75 V

120 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

155 nC

- 55 C

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300 W

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Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
DirectFET-SB
DPAK-3 (TO-252-3)
DSO-8
HDSOP-16
HSOF-5
HSOF-5-1
HSOF-5-2
HSOF-5-5
HSOF-8
HSOG-8
LHDSO-10
PG-HDSOP-16-1
PG-HSOF-8
PG-HSOF-8-1
PG-HSOG-8-1
PG-LHDSO-10-1
PG-LHDSO-10-2
PG-LHDSO-10-3
PG-TDSON-8

178 mA
4.7 A
5 A
7 A
7.7 A
7.8 A, 7.9 A
7.9 A
8.1 A, 8.4 A
8.8 A, 10.2 A
8.8 A, 9.6 A
9.3 A
9.6 A
10.9 A
11 A
11.3 A
13 A
15.2 A
18 A
18.5 A
20 A

290 uOhms
350 uOhms
360 uOhms
390 uOhms
400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
470 uOhms
480 uOhms
490 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
540 uOhms
550 uOhms
570 uOhms
600 uOhms
640 uOhms
650 uOhms
680 uOhms

700 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.2 V
1.3 V
1.5 V
1.6 V
1.7 V
1.8 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.7 V
2.8 V

3 nC, 8.8 nC
3.6 nC
5 nC, 23 nC
5.5 nC
5.6 nC
5.6 nC, 15 nC
5.6 nC, 16 nC
5.6 nC, 20 nC
6.4 nC
6.6 nC, 30.6 nC
6.8 nC
6.9 nC
7 nC
7.5 nC
7.8 nC
7.9 nC
7.9 nC, 8.1 nC
8 nC
8.3 nC
8.7 nC

125 mW
2 W
2.5 W
2.5 W, 6.25 W
25 W
26 W
27 W
28 W
29 W
30 W
31 W
32 W
33 W
33.8 W
34 W
35 W
36 W
37 W
37.5 W
38 W