PowerMESH Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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STMicroelectronics IGBTs N-Ch Clamped 20 Amp
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp
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MOSFETs Si SMD/SMT ISOTOP-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp
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MOSFETs Si SMD/SMT ISOTOP-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH
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MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH
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MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3


STMicroelectronics IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole IPAK-3
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp
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IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-252-3
STMicroelectronics IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3 FP
STMicroelectronics IGBTs N-CHANNEL IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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: 2.500

IGBT Transistors Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)