PolarP Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds 306En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds 329En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 10A P-CH POLAR 3.772En existencias
Min.: 1
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: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA26P20P TRL 3.643En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds 425En existencias
400En pedido
Min.: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds 753En existencias
Min.: 1
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: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -16.0 Amps -600V 0.720 Rds 340En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -32 Amps -600V 0.350 Rds 783En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -16.0 Amps -600V 0.720 Rds 398En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -32 Amps -600V 0.350 Rds 328En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40.0 Amps -500V 0.230 Rds 330En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -90.0 Amps -200V 0.044 Rds 240En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA52P10P TRL 247En existencias
Min.: 1
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: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -48.0 Amps -200V 0.085 Rds 8En existencias
300En pedido
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds 178En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds 578En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20.0 Amps -500V 0.450 Rds 15En existencias
750En pedido
Min.: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS Módulos MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
300En pedido
Min.: 1
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -108.0 Amps -100V 0.013 Rds
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -600V 0.790 Rds Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 300
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -18 Amps -600V 0.385 Rds Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -90.0 Amps -200V 0.048 Rds Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3