XP Serie Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -14 .5A PMPAK-3x3
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 0.2A SOT-723
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Renesas Electronics Herramientas de desarrollo para temporizador y reloj XP-EVK ProXO EVK for Ceramic Package
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-251
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6.487En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 300 A TOLL
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
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2.997En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 300A TOLL
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1.994En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 100V/-1
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2.958En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 130 A TO-220
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1.758En existencias
2.958En pedido
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 44A TO-220CFM-T
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967En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 7.5 A PMPAK-3x3
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3.000En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 8.1 A TO-252
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2.925En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 3A SOT-223
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2.755En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 6.3 A PMPAK-5x6
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2.985En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 5A PMPAK-3x3
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3.000En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 6.4A SOT-23
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2.811En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -5A SOT-23
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2.890En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30
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2.990En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30
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1.554En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 10A PMPAK-3x3
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3.000En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 32.8 A PMPAK-5x6
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2.976En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 63.5 A PMPAK-5x6
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3.000En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 63.5 A PMPAK-3x3
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2.980En existencias
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