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65 V
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9G0722-20G/SOT1483/REELDP
1.001 En existencias
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Detalles
N-Channel
LDMOS
65 V
500 mOhms
100 MHz to 2.7 GHz
19 dB
20 W
+ 225 C
SMD/SMT
SOT1483-1-3
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-350A/OMP-780/REELDP
BLP9H10S-350AY
Ampleon
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N.º de artículo de Mouser 94-BLP9H10S-350AY
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Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-350A/OMP-780/REELDP
64 En existencias
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$67.749
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Detalles
Dual N-Channel
LDMOS
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250 mOhms, 370 mOhms
600 MHz to 960 MHz
18.6 dB
350 W
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+ 125 C
SMD/SMT
OMP-780-4F-1-5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-500AWT/OMP-780/REELDP
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Ampleon
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N.º de artículo de Mouser 94-BLP9H10S-500AWTY
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Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-500AWT/OMP-780/REELDP
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Dual N-Channel
LDMOS
48 V
174 mOhms, 250 mOhms
600 MHz to 960 MHz
19 dB
500 W
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SMD/SMT
OMP-780-6F-1-7
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2735L-50/SOT1135/TRAY
BLS9G2735L-50U
Ampleon
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N.º de artículo de Mouser 94-BLS9G2735L-50U
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Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2735L-50/SOT1135/TRAY
85 En existencias
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
LDMOS
65 V
300 mOhms
2.7 GHz to 3.5 GHz
12 dB
50 W
+ 225 C
Screw Mount
SOT1135A-3
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2735LS-50/SOT1135/TRAY
BLS9G2735LS-50U
Ampleon
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$102.402
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser 94-BLS9G2735LS-50U
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2735LS-50/SOT1135/TRAY
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
LDMOS
65 V
300 mOhms
2.7 GHz to 3.5 GHz
12 dB
50 W
+ 225 C
SMD/SMT
SOT1135B-3
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G3135L-400/SOT502/TRAY
BLS9G3135L-400U
Ampleon
1:
$404.914
43 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser 94-BLS9G3135L-400U
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G3135L-400/SOT502/TRAY
43 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
LDMOS
65 V
26 mOhms
3.1 GHz to 3.5 GHz
11 dB
400 W
+ 225 C
Screw Mount
SOT502A-3
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
Microchip Technology ARF461BG
ARF461BG
Microchip Technology
1:
$66.326
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N.º de artículo de Mouser 494-ARF461BG
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
46 En existencias
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
6.5 A
1 kV
65 MHz
13 dB
150 W
- 55 C
+ 150 C
Through Hole
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
MWT-5F
CML Micro
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NRND
N.º de artículo del Fabricante
MWT-5F
N.º de artículo de Mouser 938-MWT-5F
NRND
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
20 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
GaAs
26 GHz
19 dB
21 dBm
+ 150 C
Die
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
MWT-9F
CML Micro
1:
$77.672
10 En existencias
NRND
N.º de artículo del Fabricante
MWT-9F
N.º de artículo de Mouser 938-MWT-9F
NRND
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
10 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
GaAs
18 GHz
11 dB
26.5 dBm
+ 150 C
Die
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
+1 imagen
ARF463AG
Microchip Technology
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N.º de artículo de Mouser 494-ARF463AG
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
21 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
9 A
500 V
100 MHz
15 dB
100 W
- 55 C
+ 150 C
Through Hole
TO-247-3
Tube
Chile
