Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas

N-Channel Si 16 A 125 V 175 MHz 13 dB 150 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 221-11-3 Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas

N-Channel Si 40 A 125 V 175 MHz 14 dB 300 W - 65 C + 150 C SMD/SMT Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 730-960MHz, PTRA084858NB-V1 LDMOS FET included
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
No
Si Bulk
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 925-960MHz, PTRA095908NB-V1 LDMOS FET included
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
No
Si Bulk
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 730-960MHz, PTRA097058NB-V1 LDMOS FET included
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
No
Si Bulk
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier Doherty, 2615-2675 MHz, PXAE261908NF LDMOS FET included
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
No
Si 10 mA 65 V 80 mOhms 2.515 GHz to 2.675 GHz 13.5 dB 240 W + 225 C Screw Mount Bulk
CML Micro MWT-11F
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10
N-Channel GaAs 9 dB 32 dBm SMD/SMT Die Gel Pack
Microchip Technology ARF1511
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 1

Si
Microchip Technology ARF463BG
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 30
Mult.: 1

Si Tube
Microchip Technology ARF468BG
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 25
Mult.: 1

N-Channel Si 22 A 500 V 300 mOhms 45 MHz 15 dB 300 W - 55 C + 150 C Through Hole Tube
Microchip Technology ARF469AG
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 25
Mult.: 1

Si Tube
Microchip Technology ARF469BG
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 25
Mult.: 1

Si Tube
Microchip Technology VRF141G
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M208
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si
Microchip Technology VRF141MP
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 1

Si
Microchip Technology VRF152MP
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 1

Si
Microchip Technology VRF154FL
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si
Microchip Technology VRF154FLMP
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 1

Si
Microchip Technology VRF157FL
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 1

Si
Microchip Technology VRF157FLMP
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 1

Si
Microchip Technology VRF161
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 200 W 175 MHz M174
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 12
Mult.: 1

Si
Microchip Technology VRF161MP
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 200 W 175 MHz M174
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 1

N-Channel Si 20 A 180 V 150 MHz 24 dB 200 W - 65 C + 150 C Screw Mount
Microchip Technology VRF2944MP
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 1

Si
STMicroelectronics RF2L24280CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 280 W, 28 V, 2.4 to 2.5 GHz RF Power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

Si Tray
STMicroelectronics RF4L10700CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 700 W, 40 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

Si Tray
STMicroelectronics RF4L15400CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 650 W, 28/32 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

Si Tray