PGA26E19BA-SWEVB006

Panasonic
667-PGA26E19BASWEVB6
PGA26E19BA-SWEVB006

Fabricante:

Descripción:
Herramientas de desarrollo de administración de IC 600Vdc 190mOhm X-GaN Chopper EVB

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Panasonic
Categoría de producto: Herramientas de desarrollo de administración de IC
RoHS:  
Evaluation Boards
Gate Driver
400 V
PGA26E19BA, AN34092B
PGA26ExxBA-06
Marca: Panasonic
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: SG
Descripción/Función: Chopper evaluation board
Tipo de producto: Power Management IC Development Tools
Cantidad de empaque de fábrica: 5
Subcategoría: Development Tools
Nombre comercial: X-GaN
Peso de la unidad: 495,015 g
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Hoja de datos

Technical Resources

CNHTS:
8543709990
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
KRHTS:
8532331000
TARIC:
8473302000
MXHTS:
8542330201
ECCN:
EAR99

Soluciones de potencia X-GaN

El nitruro de galio (X-GaN) de 600 V de Panasonic es un material de semiconductor amplio de banda prohibida muy sólido y mecánicamente estable, con una alta capacidad de calor y conductividad térmica. En su forma pura, resiste al agrietamiento y se puede depositar en una película fina sobre Sapphire (AL2O3) o carburo de silicio (SiC), a pesar de la divergencia en sus distancias constantes de red. El material X-GaN se puede dopar con silicio (Si), o con oxígeno al semiconductor tipo N y con magnesio (Mg) al tipo P; no obstante, los átomos de Si y Mg cambian la forma en que crecen los cristales de X-GaN, introduciendo cargas extensibles y haciendo que se quiebren.

PGA26E19BA X-GaN Chopper Evaluation Board

Panasonic PGA26E19BA6 X-GaN Chopper Evaluation Board is designed using an X-GaN driver that measures the high-speed switching characteristics of X-GaN power transistors during turn-on and turn-off. This evaluation board operates with 400V input voltage, 12V supply voltage, and 5V external clock voltage. The PGA26E19BA  evaluation board comes with an on-resistance value of 190mΩ. Panasonic PGA26E19BA6 X-GaN Chopper Evaluation Board is ideal for X-GaN power FET characterization and flyback topology.

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