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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
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1.052En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA120P065T TRL
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985En existencias
800En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -140 Amps -50V 0.008 Rds
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1.430En existencias
300En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 15A N-CH LINEAR
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398En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds
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552En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA180N10T TRL
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2.492En existencias
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: 800

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-263HV
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1.597En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
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1.776En existencias
2.300En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
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550En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds
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493En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 300V 36A
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1.801En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
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425En existencias
400En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
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753En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.5 Rds
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960En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA3N120 TRL
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1.562En existencias
1.600En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA3N150HV TRL
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1.212En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -44 Amps -150V 0.065 Rds
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2.005En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 4A N-CH HIVOLT
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193En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
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1.687En existencias
400En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 64A N-CH LINEAR
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1.430En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA6N100D2 TRL
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770En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
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837En existencias
790En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -76 Amps -100V 0.024 Rds
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1.191En existencias
250En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -76 Amps -100V 0.024 Rds
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575En existencias
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: 800

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CHANNEL
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1.307En existencias
1.650En pedido
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