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BFR 93AW H6327

Name: Infineon BFR 93AW H6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BFR93AWH6327
Price: 347 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BFR93AWH6327

Fabricante N.º:

BFR 93AW H6327

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

BFR 93AW H6327 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$347	$347
	$211	$2.110
	$167	$16.700
	$158	$79.000
	$151	$151.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$142	$426.000
	$139	$834.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Serie:	BFR93
Tipo de transistor:	Bipolar
Tecnología:	Si
Polaridad del transistor:	NPN
Frecuencia de trabajo:	2 GHz
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	70
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	12 V
Voltaje VEBO emisor-base:	2 V
Corriente continua del colector:	90 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 65 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-323
Calificación:	AEC-Q100
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	DE
Corriente CC máxima de colector:	90 mA
Dp - Disipación de potencia :	300 mW
Tipo de producto:	RF Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	SP000734402 BFR93AWH6327XT BFR93AWH6327XTSA1
Peso de la unidad:	60 mg

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

RF Transistors

Infineon RF Transistors include Low Noise Amplifiers and High Linearity Transistors. Devices in the Low Noise category are based on silicon bipolar technology. Moderate transition frequency of fT <20 GHz provides ease of use and stability. Breakdown voltage can safely support supply voltage of 5V. These transistors are suitable for use with AM over VHF/UHF up to 14GHz. High Linearity Transistors provide OIP3 (Output 3rd Order Intercept Point) above 29dBm. They are based on Infineon's high volume silicon bipolar and SiGe:C technologies for best in class noise figures. These devices are ideal for drivers, pre-amplifiers, and buffer amplifiers.

RF Solutions for IoT applications

Infineon Technologies RF Solutions portfolio delivers high-performance RF technology products for reliable wireless connectivity in IoT applications. The number of IoT devices is growing at an astonishing rate. At the same time, customers expect a superior user experience in terms of product design and functionality.