MR4A08B Serie Memoria RAM magnetorresistiva

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Paquete / Cubierta
Tipo de interfaz
Tamaño de memoria
Organización
Ancho de bus de datos
Tiempo de acceso
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Corriente de suministro operativa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
403En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
470En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
666En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
208En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 480
Mult.: 240

BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Reel