MR2A08A Serie Memoria RAM magnetorresistiva

Resultados: 10
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Paquete / Cubierta
Tipo de interfaz
Tamaño de memoria
Organización
Ancho de bus de datos
Tiempo de acceso
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Corriente de suministro operativa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
587En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
316En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
405En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
270En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Carrete: 2.000

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
Carrete: 1.500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 696
Mult.: 348

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Carrete: 2.000

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
Carrete: 1.500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
Carrete: 1.500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Reel