Guerrilla RF Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Potencia de salida
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Empaquetado
Guerrilla RF GRF0020D
Guerrilla RF RF MOSFET Transistors 50V, DC - 7GHz, 30W GaN HEMT, Bare Die
Hoja de datos
GaN-on-SiC 1.27 mA 150 V 0 Hz to 7 GHz 30 W + 225 C SMD/SMT Bulk
Guerrilla RF GRF0030D
Guerrilla RF RF MOSFET Transistors 50V, DC - 6.0GHz, 50W GaN HEMT, Bare Die
Hoja de datos
GaN-on-SiC 1.93 mA 150 V 0 Hz to 7 GHz 50 W + 225 C SMD/SMT Bulk