SIPMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 15A DPAK-2
Hoja de datos
2.404En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 15 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 37 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SIPMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -15A TO220-3
Hoja de datos
366En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 100 V 15 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 47 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SIPMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -80A TO220-3
Hoja de datos
450En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 60 V 80 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 115 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement SIPMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 4.2A DPAK-2
Hoja de datos
3.498En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 4.2 A 850 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 16 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement SIPMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 9.7A DPAK-2
Hoja de datos
736En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 9.7 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement SIPMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 80A D2PAK-2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 60 V 80 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 115 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement SIPMOS Reel