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OptiMOS 5 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 183

Filtros aplicados:

Serie = OptiMOS 5

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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Activo

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTC039N15NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.594
5.739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTC039N15NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-TC039N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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5.739En existencias

Cinta cortada

$7.594

$5.118

$3.786

$3.774

$3.573

Envase tipo carrete

$3.528

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HDSOP-16

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1 Channel

150 V

190 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

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- 55 C

+ 175 C

319 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

BSC052N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.733
16.652En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC052N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC052N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

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16.652En existencias

Cinta cortada

$2.733

$1.725

$1.378

$1.131

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Envase tipo carrete

$1.045

MouseReel Disponible

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TDSON-8

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1 Channel

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95 A

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- 20 V, 20 V

2.2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUC120N06S5N022ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.912
5.989En existencias
4.900En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N06S5N022ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N06S5N022

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

Hoja de datos

5.989En existencias

4.900En pedido

Cinta cortada

$2.912

$1.870

$1.277

$1.016

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Envase tipo carrete

$884

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TDSON-8

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1 Channel

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170 A

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- 20 V, 20 V

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136 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC010N04LSATMA1
Infineon Technologies
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65.912En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC010N04LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC010N04LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

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65.912En existencias

Cinta cortada

$3.427

$2.206

$1.512

$1.243

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Envase tipo carrete

$1.067

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

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100 A

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- 20 V, 20 V

1.2 V

133 nC

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139 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ075N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.702
68.901En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ075N08NS5ATMA1

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726-BSZ075N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

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68.901En existencias

Cinta cortada

$1.702

$1.198

$976

$842

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Envase tipo carrete

$753

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

8.5 mOhms

- 20 V, 20 V

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24 nC

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69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

BSC065N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.374
77.739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC065N06LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC065N06LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

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Cinta cortada

$2.374

$1.501

$1.001

$821

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Envase tipo carrete

$652

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TDSON-8

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1 Channel

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64 A

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- 20 V, 20 V

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13 nC

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+ 150 C

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

IPD025N06NATMA1
Infineon Technologies
1: $3.438
7.219En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD025N06NATMA1

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726-IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

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$3.438

$2.206

$1.501

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8

BSC061N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
BSC061N08NS5ATMA1

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726-BSC061N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8

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$2.845

$1.870

$1.254

$1.005

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$932

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

IPB010N06N
Infineon Technologies
1: $6.597
2.566En existencias
997En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB010N06N

N.º de artículo de Mouser
726-IPB010N06N

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

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2.566En existencias

997En pedido

Cinta cortada

$6.597

$4.995

$4.043

$3.606

Envase tipo carrete

$3.170

MouseReel Disponible

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TO-263-7

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1 Channel

60 V

180 A

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300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

IPD025N06N
Infineon Technologies
1: $3.461
13.564En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD025N06N

N.º de artículo de Mouser
726-IPD025N06N

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

Hoja de datos

13.564En existencias

Cinta cortada

$3.461

$2.240

$1.646

$1.389

$1.232

Envase tipo carrete

$1.198

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

IPB017N08N5
Infineon Technologies
1: $7.190
900En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB017N08N5

N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N08N5

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

Hoja de datos

900En existencias

Cinta cortada

$7.190

$5.510

$4.458

$3.987

Envase tipo carrete

$3.506

MouseReel Disponible

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

80 V

120 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

223 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

IPB020N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.958
900En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB020N08N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB020N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

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Hoja de datos

900En existencias

Cinta cortada

$5.958

$3.976

$2.834

$2.621

Envase tipo carrete

$2.453

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

133 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
1: $3.517
1.596En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB026N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB026N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

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Hoja de datos

1.596En existencias

Cinta cortada

$3.517

$2.296

$1.590

$1.344

Envase tipo carrete

$1.254

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC010N04LS
Infineon Technologies
1: $2.722
26.374En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC010N04LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC010N04LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

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Hoja de datos

26.374En existencias

Cinta cortada

$2.722

$1.747

$1.187

$987

Ver

Envase tipo carrete

$855

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ017NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
1: $2.150
4.407En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ017NE2LS5IATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ017NE2LS5IATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

4.407En existencias

Cinta cortada

$2.150

$1.378

$921

$729

Ver

Envase tipo carrete

$609

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

40 A

1.9 mOhms

- 16 V, 16 V

2 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ084N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.442
10.772En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ084N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ084N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

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Hoja de datos

10.772En existencias

Cinta cortada

$2.442

$1.557

$1.033

$843

Ver

Envase tipo carrete

$672

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

11.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUC41N06S5L100ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.456
14.713En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC41N06S5L100ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC41N06S5L100A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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Hoja de datos

14.713En existencias

Cinta cortada

$1.456

$915

$605

$472

Ver

Envase tipo carrete

$370

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8-3

N-Channel

1 Channel

60 V

41 A

10 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

12.7 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC014N06NS
Infineon Technologies
1: $4.256
6.628En existencias
5.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC014N06NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC014N06NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS

Hoja de datos

6.628En existencias

5.000En pedido

Cinta cortada

$4.256

$2.778

$2.173

$1.826

$1.635

Envase tipo carrete

$1.579

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

1.45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

89 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC034N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: $3.091
12.667En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC034N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC034N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

12.667En existencias

Cinta cortada

$3.091

$1.982

$1.366

$1.096

Ver

Envase tipo carrete

$922

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ031NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.590
6.913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ031NE2LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ031NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

Obtenga más información

Hoja de datos

6.913En existencias

Cinta cortada

$1.590

$997

$665

$520

Ver

Envase tipo carrete

$418

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

40 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

13.6 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

IPB031N08N5
Infineon Technologies
1: $4.323
1.305En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB031N08N5

N.º de artículo de Mouser
726-IPB031N08N5

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

Hoja de datos

1.305En existencias

Cinta cortada

$4.323

$2.834

$2.083

$1.893

Envase tipo carrete

$1.646

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSZ099N06LS5ATMA1
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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

9.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

6.9 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0500NSIATMA1
Infineon Technologies
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Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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BSC0502NSIATMA1
Infineon Technologies
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$740

$582

$514

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ0503NSIATMA1
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$586

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

82 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

OptiMOS 5 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
HDSOP-16
HSOF-8
HSOG-8
LHDSO-10
PQFN 2x2 (DFN2020)
TDSON-8
TDSON-8-3
TDSON-8-34
TDSON-8-43
TDSON-8 FL
TISON-8
TO-220-3
TO-262-3
TO-263-7
TSDSON-8
TSDSON-8-32
TSDSON-8-33
TSON-12

18.5 A
27 A
30 A
32 A
40 A
41 A
42 A
44 A
45 A
46 A
47 A
49 A
50 A, 50 A
56 A
60 A
61 A
63 A
64 A
69 A
72 A

290 uOhms
350 uOhms
750 uOhms
760 uOhms
780 uOhms
790 uOhms
800 uOhms
900 uOhms
950 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.12 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.45 mOhms
1.47 mOhms
1.5 mOhms

5.6 nC, 15 nC
5.6 nC, 16 nC
5.6 nC, 20 nC
6.9 nC
7 nC
8 nC
9 nC
9.4 nC
10.1 nC
11 nC
11.1 nC
12 nC
12.5 nC
12.7 nC
13 nC
13.6 nC
14 nC
14.1 nC
15 nC
16.3 nC

2.5 W
2.5 W, 6.25 W
27 W
29 W
30 W
33 W
36 W
38 W
42 W
43 W
45 W
46 W
50 W
52 W
60 W
62.5 W
63 W
69 W
71 W
74 W