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OptiMOS 2 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 10

Filtros aplicados:

Serie = OptiMOS 2

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC118N10NS G
Infineon Technologies
1: $2.229
4.333En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC118N10NS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC118N10NSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2

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Hoja de datos

4.333En existencias

Cinta cortada

$2.229

$1.445

$958

$760

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Envase tipo carrete

$581

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

11 A

11.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD25CN10NGATMA1
Infineon Technologies
1: $1.949
14.033En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD25CN10NGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD25CN10NGATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Hoja de datos

14.033En existencias

Cinta cortada

$1.949

$1.243

$829

$654

Envase tipo carrete

$504

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC252N10NSFGATMA1
Infineon Technologies
1: $1.904
23.977En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC252N10NSFGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC252N10NSFGATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

Hoja de datos

23.977En existencias

Cinta cortada

$1.904

$1.221

$811

$640

Envase tipo carrete

$473

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD33CN10NGATMA1
Infineon Technologies
1: $1.736
2.143En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD33CN10NGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD33CN10NGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Hoja de datos

2.143En existencias

Cinta cortada

$1.736

$651

$478

$430

Envase tipo carrete

$428

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

27 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC265N10LSF G
Infineon Technologies
1: $1.680
2.155En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC265N10LSF G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC265N10LSFG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

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Hoja de datos

2.155En existencias

Cinta cortada

$1.680

$1.060

$703

$556

Envase tipo carrete

$441

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD78CN10NGATMA1
Infineon Technologies
1: $1.355
6.764En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD78CN10NGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD78CN10NGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Hoja de datos

6.764En existencias

Cinta cortada

$1.355

$743

$501

$435

Envase tipo carrete

$328

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

78 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

31 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC100N10NSF G
Infineon Technologies
1: $3.069
10.685En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC100N10NSF G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC100N10NSFG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2

Hoja de datos

10.685En existencias

Cinta cortada

$3.069

$1.982

$1.366

$1.094

Ver

Envase tipo carrete

$979

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC265N10LSFGATMA1
Infineon Technologies
1: $1.714
4.632En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC265N10LSFGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC265N10LSFGATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

Hoja de datos

4.632En existencias

Cinta cortada

$1.714

$1.053

$718

$562

Ver

Envase tipo carrete

$441

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC252N10NSF G
Infineon Technologies
1: $1.960
349En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC252N10NSF G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC252N10NSFG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

Obtenga más información

Hoja de datos

349En existencias

Cinta cortada

$1.960

$1.243

$828

$679

Ver

Envase tipo carrete

$540

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 29A DPAK-2

IPD350N06L G
Infineon Technologies
1: $1.154
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD350N06L G

N.º de artículo de Mouser
726-IPD350N06LG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 29A DPAK-2

Hoja de datos

Más información disponible

Cinta cortada

$1.154

$737

$501

$381

Envase tipo carrete

$306

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

29 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

OptiMOS 2 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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