References Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN0806-3 T&R 10K
Hoja de datos
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000

Si SMD/SMT X2-DFN0806-3 N-Channel 1 Channel 20 V 520 uA 990 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 410 pC - 55 C + 150 C 410 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 105 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 10K
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 10.000
Mult.: 10.000
: 10.000
Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 14.1 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement Reel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 110 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 41.9 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement Reel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 105 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement Reel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 110 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 41.9 nC - 55 C + 175 C 2.98 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 150 A 550 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 152.7 nC - 55 C + 175 C 2.13 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel