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STMicroelectronics PowerMESH Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 12

Filtros aplicados:

Fabricante = STMicroelectronics Nombre comercial = PowerMESH

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp

STE40NC60
STMicroelectronics
1: $44.027
146En existencias
100En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STE40NC60

N.º de artículo de Mouser
511-STE40NC60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp

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Hoja de datos

146En existencias

100En pedido

$44.027

$33.802

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

ISOTOP-4

N-Channel

1 Channel

600 V

40 A

130 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

430 nC

- 65 C

+ 150 C

460 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package

STW3N170
STMicroelectronics
1: $6.866
1.188En existencias
600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STW3N170

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511-STW3N170

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package

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1.188En existencias

600En pedido

$6.866

$3.976

$3.147

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

2.6 A

13 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp

STE53NC50
STMicroelectronics
1: $42.560
161En existencias
300En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STE53NC50

N.º de artículo de Mouser
511-STE53NC50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp

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161En existencias

300En pedido

$42.560

$34.787

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

ISOTOP-4

N-Channel

1 Channel

500 V

53 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

434 nC

- 65 C

+ 150 C

460 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH

STFW3N150
STMicroelectronics
1: $4.950
1.374En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW3N150

N.º de artículo de Mouser
511-STFW3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH

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$4.950

$2.744

$1.994

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

2.5 A

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3 V

29.3 nC

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+ 150 C

63 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

STFW4N150
STMicroelectronics
1: $7.437
1.371En existencias

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STFW4N150

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511-STFW4N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

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1.371En existencias

$7.437

$4.334

$3.506

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

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- 30 V, 30 V

3 V

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+ 150 C

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Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh

STW4N150
STMicroelectronics
1: $8.098
789En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW4N150

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511-STW4N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh

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789En existencias

Más información disponible

$8.098

$4.670

$3.842

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

4 A

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- 30 V, 30 V

3 V

30 nC

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+ 150 C

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Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET

STW9N150
STMicroelectronics
1: $10.618
563En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW9N150

N.º de artículo de Mouser
511-STW9N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET

Hoja de datos

563En existencias

$10.618

$6.261

$5.566

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

8 A

2.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

89.3 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package

STFW3N170
STMicroelectronics
1: $6.944
219En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW3N170

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511-STFW3N170

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package

Hoja de datos

219En existencias

Más información disponible

$6.944

$4.021

$3.203

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

2.6 A

7 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

STP3N150
STMicroelectronics
1: $6.126
78En existencias

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STP3N150

N.º de artículo de Mouser
511-STP3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

Hoja de datos

78En existencias

Más información disponible

$6.126

$3.282

$2.990

$2.710

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

2.5 A

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Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET

STP4N150
STMicroelectronics
1: $6.272
446En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP4N150

N.º de artículo de Mouser
511-STP4N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET

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$6.272

$3.304

$3.035

$2.901

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

4 A

5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH

STH3N150-2
STMicroelectronics
1: $6.742

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STH3N150-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH3N150-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH

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Cinta cortada

$6.742

$4.525

$3.259

$3.226

Envase tipo carrete

$3.013

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

2.5 A

9 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

29.3 nC

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+ 150 C

140 W

Enhancement

PowerMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

STW3N150
STMicroelectronics
1: $5.018

N.º de artículo del Fabricante
STW3N150

N.º de artículo de Mouser
511-STW3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

Hoja de datos

Más información disponible

$5.018

$2.990

$2.475

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

2.5 A

9 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

29.3 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

STMicroelectronics PowerMESH Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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