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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Fabricante = STMicroelectronics

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCh 30V 0.0032Ohm 20A MOSFET

STD17NF25
STMicroelectronics
1: $2.229
24.888En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD17NF25

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511-STD17NF25

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCh 30V 0.0032Ohm 20A MOSFET

Hoja de datos

24.888En existencias

Cinta cortada

$2.229

$1.434

$963

$765

$704

Envase tipo carrete

$670

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

17 A

165 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29.5 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 7.25 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET i

STH2N120K5-2AG
STMicroelectronics
1: $5.846
6.837En existencias
2.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STH2N120K5-2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH2N120K5-2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 7.25 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET i

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6.837En existencias

2.000En pedido

Cinta cortada

$5.846

$3.898

$2.789

$2.666

Envase tipo carrete

$2.486

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

1.5 A

10 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI

STH310N10F7-2
STMicroelectronics
1: $6.496
7.669En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH310N10F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH310N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI

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7.669En existencias

Cinta cortada

$6.496

$4.491

$3.338

$3.226

Envase tipo carrete

$2.610

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 1.3 m? typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL210N4F7
STMicroelectronics
1: $2.710
2.623En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL210N4F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL210N4F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 1.3 m? typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

Hoja de datos

2.623En existencias

Cinta cortada

$2.710

$1.736

$1.176

$981

$864

Envase tipo carrete

$849

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V 11A 0.016 Ohm STripFET V

STL40DN3LLH5
STMicroelectronics
1: $1.915
40.498En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL40DN3LLH5

N.º de artículo de Mouser
511-STL40DN3LLH5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V 11A 0.016 Ohm STripFET V

Hoja de datos

40.498En existencias

Cinta cortada

$1.915

$1.221

$815

$643

$588

Envase tipo carrete

$542

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

2 Channel

30 V

40 A

16 mOhms

- 22 V, 22 V

1.5 V

4.5 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 pa

STL7N6F7
STMicroelectronics
1: $930
104.899En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL7N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL7N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 pa

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104.899En existencias

Cinta cortada

$930

$579

$375

$287

Envase tipo carrete

$222

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-2x2-6

N-Channel

1 Channel

60 V

7 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.4 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3

STL8N10F7
STMicroelectronics
1: $1.602
39.243En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL8N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL8N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3

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Hoja de datos

39.243En existencias

Cinta cortada

$1.602

$1.008

$670

$535

Envase tipo carrete

$535

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel -30 V, 12 mOhm typ., -9 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

STL9P3LLH6
STMicroelectronics
1: $1.781
87.386En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL9P3LLH6

N.º de artículo de Mouser
511-STL9P3LLH6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel -30 V, 12 mOhm typ., -9 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

Hoja de datos

87.386En existencias

Cinta cortada

$1.781

$1.104

$750

$590

$539

Envase tipo carrete

$488

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

P-Channel

1 Channel

30 V

9 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STP20NM60FD
STMicroelectronics
1: $8.411
5.105En existencias
2.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STP20NM60FD

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60FD

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

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5.105En existencias

2.000En pedido

$8.411

$4.592

$4.211

$4.088

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

54 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5

STW88N65M5
STMicroelectronics
1: $18.066
3.691En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW88N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW88N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5

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3.691En existencias

Más información disponible

$18.066

$11.144

$10.976

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

84 A

29 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

204 nC

- 55 C

+ 150 C

450 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22

STF10N62K3
STMicroelectronics
1: $3.035
976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF10N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF10N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22

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Hoja de datos

976En existencias

$3.035

$1.949

$1.322

$1.101

$953

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

620 V

8.4 A

680 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET

STO36N60M6
STMicroelectronics
1: $6.754
482En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STO36N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STO36N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET

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Hoja de datos

482En existencias

Cinta cortada

$6.754

$4.525

$3.259

$3.226

$3.024

Envase tipo carrete

$3.024

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.800

SMD/SMT

TO-LL-8

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

99 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

44.3 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-247 package

STW35N60DM2
STMicroelectronics
1: $6.182
382En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW35N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STW35N60DM2

STMicroelectronics

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382En existencias

$6.182

$3.506

$2.654

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

28 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP18N65M2
STMicroelectronics
1: $3.562
863En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP18N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP18N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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Hoja de datos

863En existencias

$3.562

$1.826

$1.646

$1.333

$1.243

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

275 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V 1.1

STP6N62K3
STMicroelectronics
1: $2.901
889En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP6N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STP6N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V 1.1

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Hoja de datos

889En existencias

$2.901

$1.198

$998

$981

$956

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

620 V

5.5 A

1.28 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH3

STF2N62K3
STMicroelectronics
1: $2.598
1.841En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF2N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF2N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH3

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Hoja de datos

1.841En existencias

$2.598

$865

$858

$773

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

620 V

2.2 A

3.6 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTD HIGH VOLTAGE

STB6N65K3
STMicroelectronics
1: $2.285
1.992En existencias
Verificar estado con la fábrica

N.º de artículo del Fabricante
STB6N65K3

N.º de artículo de Mouser
511-STB6N65K3

Verificar estado con la fábrica

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTD HIGH VOLTAGE

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1.992En existencias

$2.285

$1.467

$1.010

$856

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

5.4 A

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 300 mOhm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na

STFU15N80K5
STMicroelectronics
1: $3.483
689En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU15N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STFU15N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 300 mOhm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na

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Hoja de datos

689En existencias

$3.483

$2.330

$2.218

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

14 A

375 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 6.4Amp Zener SuperMESH

STP9NK65Z
STMicroelectronics
1: $4.368
913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP9NK65Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP9NK65Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 6.4Amp Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

913En existencias

$4.368

$2.856

$2.106

$1.870

$1.658

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa

STF25N60M2-EP
STMicroelectronics
1: $3.763
841En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF25N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STF25N60M2-EP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa

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Hoja de datos

841En existencias

$3.763

$2.050

$1.859

$1.512

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

188 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3

STF4N62K3
STMicroelectronics
1: $3.304
963En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF4N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF4N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3

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Hoja de datos

963En existencias

$3.304

$1.221

$1.176

$1.142

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

620 V

3.8 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package

STU3N65M6
STMicroelectronics
1: $2.072
2.440En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STU3N65M6

N.º de artículo de Mouser
511-STU3N65M6

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package

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Hoja de datos

2.440En existencias

$2.072

$1.322

$875

$717

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

650 V

3.5 A

1.5 Ohms

- 25 V, 25 V

2.25 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH

STB13NK60ZT4
STMicroelectronics
1: $5.298
710En existencias

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STB13NK60ZT4

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511-STB13NK60Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

92 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 2.7 Ohm 2A SuperMESH3

STD3N40K3
STMicroelectronics
1: $2.453
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STD3N40K3

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$1.568

$1.085

$921

$768

Envase tipo carrete

$731

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

400 V

1.8 A

3.4 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR

STF10NM60ND
STMicroelectronics
1: $2.946
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NRND

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STF10NM60ND

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511-STF10NM60ND

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR

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$2.946

$1.478

$1.333

$1.232

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

600 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Empresa

Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.9 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V
5 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W