STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET 1.003En existencias
1.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 1.1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 5.7 nC - 55 C + 150 C 21 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET 1.043En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET 496En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET 910En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET 181En existencias
200En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 200

Si SMD/SMT ACEPACK SMIT-9 N-Channel 2 Channel 650 V 53 A 64 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 80 nC - 55 C + 150 C 424 W Enhancement AQG 324 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET 183En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 200

Si N-Channel 650 V 64 A 35 mOhms AQG 324 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.45 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET 439En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7 A 1.9 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 36 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET 1.142En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 600 V 27 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8 4.610En existencias
3.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 100 V 125 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 56 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 100V, 3.2mOhm max, 158A STripFET F8 Power MOSFET 2.810En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 100 V 158 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 90 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 1.0 mOhm max., 304 A, STripFET F8 Power MOSFET 2.767En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 304 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40 V, 0.85 mOhm max., 350A STripFET F8 Power MOSFET 2.534En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 40 V 373 A 1.1 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 95 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET 3.968En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si N-Channel AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET 522En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 95 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 230 nC - 55 C + 150 C 463 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET 580En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 45 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET 294En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 95 A - 30 V, 30 V 4.2 V 230 nC - 55 C + 150 C Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package 5.329En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 20 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCh 30V 0.0032Ohm 20A MOSFET 24.888En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 250 V 17 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 29.5 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI 7.669En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 1.3 m? typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 2.623En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V 11A 0.016 Ohm STripFET V 40.498En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A 16 mOhms - 22 V, 22 V 1.5 V 4.5 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 pa 104.899En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-2x2-6 N-Channel 1 Channel 60 V 7 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8 nC - 55 C + 150 C 2.4 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3 39.073En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8 N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel -30 V, 12 mOhm typ., -9 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 87.386En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8 P-Channel 1 Channel 30 V 9 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 24 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp 5.105En existencias
2.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 65 C + 150 C 192 W Enhancement FDmesh Tube