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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH

STP6NK60Z
STMicroelectronics
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STP6NK60Z

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511-STP6NK60Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92

STQ2LN60K3-AP
STMicroelectronics
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STQ2LN60K3-AP

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511-STQ2LN60K3AP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92

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$1.008

$625

$405

$311

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$236

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: 2.000

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TO-92-3

N-Channel

1 Channel

600 V

600 mA

4.5 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

MDmesh

Ammo Pack

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH

STW12NK80Z
STMicroelectronics
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STW12NK80Z

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511-STW12NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH

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$5.768

$4.054

$3.517

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

10.5 A

750 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

87 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package

STW13N80K5
STMicroelectronics
1: $5.544
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STW13N80K5

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511-STW13N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package

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$5.544

$2.934

$2.464

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

12 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS

STB34NM60N
STMicroelectronics
1: $11.816
970En existencias

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STB34NM60N

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511-STB34NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS

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Cinta cortada

$11.816

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$6.843

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MouseReel Disponible

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: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

92 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

84 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 450V-4.1ohms 1.5A

STD2NC45-1
STMicroelectronics
1: $549
5.369En existencias

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STD2NC45-1

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511-STD2NC45-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 450V-4.1ohms 1.5A

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$549

$540

$535

$477

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Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

450 V

1.5 A

4.5 Ohms

- 30 V, 30 V

2.3 V

7 nC

- 65 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3

STD5N52K3
STMicroelectronics
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STD5N52K3

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511-STD5N52K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3

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Cinta cortada

$2.094

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$899

$712

$659

Envase tipo carrete

$606

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

525 V

4.4 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

STF11NM50N
STMicroelectronics
1: $2.083
808En existencias

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STF11NM50N

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511-STF11NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

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$2.083

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$1.624

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

8.5 A

470 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF12N60M2
STMicroelectronics
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STF12N60M2

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STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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$2.162

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$925

$737

$603

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

450 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

STF24N60DM2
STMicroelectronics
1: $3.662
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STF24N60DM2

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511-STF24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

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1.166En existencias

$3.662

$1.994

$1.758

$1.546

$1.366

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

175 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2

STF28N60M2
STMicroelectronics
1: $4.099
782En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF28N60M2

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511-STF28N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2

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782En existencias

$4.099

$2.005

$1.837

$1.646

$1.579

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

24 A

120 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

37 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2

STF9N60M2
STMicroelectronics
1: $2.218
1.816En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF9N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF9N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2

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1.816En existencias

$2.218

$997

$783

$692

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

5.5 A

780 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL33N60M2
STMicroelectronics
1: $5.566
1.617En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL33N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL33N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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Cinta cortada

$5.566

$5.320

$4.166

$3.707

$3.170

Envase tipo carrete

$2.184

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

21.5 A

135 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power

STP19NM50N
STMicroelectronics
1: $4.122
644En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP19NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STP19NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power

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644En existencias

$4.122

$2.610

$2.464

$2.341

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14 A

250 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V

STP31N65M5
STMicroelectronics
1: $4.883
739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP31N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP31N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V

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Hoja de datos

739En existencias

$4.883

$2.296

$2.173

$1.971

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

148 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3

STU4N62K3
STMicroelectronics
1: $2.307
2.904En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU4N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STU4N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3

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2.904En existencias

$2.307

$1.131

$1.012

$855

$756

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

620 V

3.8 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET

STW18N65M5
STMicroelectronics
1: $4.794
687En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW18N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW18N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET

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Hoja de datos

687En existencias

$4.794

$2.453

$1.926

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

9.4 A

220 mOhms

- 25 V, 25 V

5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A

STB10N60M2
STMicroelectronics
1: $2.722
1.075En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB10N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB10N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A

Hoja de datos

1.075En existencias

Cinta cortada

$2.722

$1.758

$1.198

$972

Envase tipo carrete

$879

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

7.5 A

600 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

13.5 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II

STD3NM60N
STMicroelectronics
1: $1.949
2.222En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STD3NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II

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Hoja de datos

2.222En existencias

Cinta cortada

$1.949

$1.061

$778

$662

$601

Envase tipo carrete

$551

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

2.5 A

1.8 Ohms

- 25 V, 25 V

2 V

9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

STD6N60M2
STMicroelectronics
1: $2.229
2.265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD6N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

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Hoja de datos

2.265En existencias

Cinta cortada

$2.229

$1.422

$965

$819

$710

Envase tipo carrete

$651

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4.5 A

1.06 Ohms

- 25 V, 25 V

3 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -30 V, 5 mOhm typ., -80 A, STripFET H6 Power MOSFET i

STD95P3LLH6AG
STMicroelectronics
1: $2.722
1.097En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD95P3LLH6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD95P3LLH6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -30 V, 5 mOhm typ., -80 A, STripFET H6 Power MOSFET i

Hoja de datos

1.097En existencias

Cinta cortada

$2.722

$1.758

$1.198

$958

$916

Envase tipo carrete

$880

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

30 V

80 A

9.7 mOhms

- 18 V, 18 V

2.5 V

113 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF26N60M2
STMicroelectronics
1: $3.819
981En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF26N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF26N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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Hoja de datos

981En existencias

$3.819

$1.926

$1.736

$1.411

$1.400

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

165 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr

STFH24N60M2
STMicroelectronics
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STFH24N60M2

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511-STFH24N60M2

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Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

168 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5

STI20N65M5
STMicroelectronics
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STI20N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5

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Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

160 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL13N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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Envase tipo carrete

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: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

415 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.9 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V
5 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W