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Infineon CoolMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 658

Filtros aplicados:

Fabricante = Infineon Nombre comercial = CoolMOS

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

IPLT60R055CM8XTMA1
Infineon Technologies
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IPLT60R055CM8XTMA1

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Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

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$3.091

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1 Channel

650 V

48 A

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4.7 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

CoolMOS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB50R140CP
Infineon Technologies
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IPB50R140CP

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP

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$2.094

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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23 A

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- 20 V, 20 V

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- 55 C

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB50R199CPATMA1
Infineon Technologies
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IPB50R199CPATMA1

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726-IPB50R199CPATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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500 V

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7

IPP65R045C7
Infineon Technologies
1: $11.077
774En existencias

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IPP65R045C7

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
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IPA60R125P6XKSA1

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726-IPA60R125P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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30 A

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CoolMOS

Tube

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IPB65R660CFDA
Infineon Technologies
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IPB65R660CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R660CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2

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$2.878

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

650 V

6 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

20 nC

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Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB80R290C3AATMA2
Infineon Technologies
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IPB80R290C3AATMA2

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726-IPB80R290C3AATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
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7.460En existencias

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IPD60R180C7ATMA1

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726-IPD60R180C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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$3.326

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600 V

13 A

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24 nC

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

IPD60R380P6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.150
7.306En existencias

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IPD60R380P6ATMA1

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726-IPD60R380P6ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

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Cinta cortada

$2.150

$1.378

$930

$738

$674

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Min.: 1
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

10.6 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

19 nC

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31 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.736
27.778En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R2K0P7ATMA1

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726-IPD95R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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$572

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$472

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

4 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWERNEW

IPW65R095C7
Infineon Technologies
1: $6.518
897En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R095C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R095C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWERNEW

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897En existencias

$6.518

$5.219

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$3.741

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

128 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R450P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.192
3.313En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R450P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R450P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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3.313En existencias

Cinta cortada

$3.192

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Envase tipo carrete

$1.093

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

14 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R065C7
Infineon Technologies
1: $8.400
487En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R065C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R065C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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487En existencias

$8.400

$6.272

$5.074

$4.502

$3.987

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

58 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.678
1.327En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Hoja de datos

1.327En existencias

$5.678

$3.349

$2.643

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37.9 A

89 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

70 nC

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+ 150 C

278 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: $1.725
4.880En existencias
5.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPAN70R600P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R600P7SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

4.880En existencias

5.000En pedido

$1.725

$843

$735

$521

$427

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8.5 A

490 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

24.9 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.442
2.732En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R180C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R180C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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2.732En existencias

Cinta cortada

$2.442

$1.333

Envase tipo carrete

$1.333

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R095C7ATMA2
Infineon Technologies
1: $6.664
1.397En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R095C7ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R095C7ATMA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1.397En existencias

Cinta cortada

$6.664

$4.469

$3.214

$3.170

Envase tipo carrete

$2.968

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

128 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.061
4.517En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R750P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

4.517En existencias

Cinta cortada

$2.061

$1.322

$883

$698

$642

Envase tipo carrete

$600

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

7 A

640 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

51 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.251
2.822En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R360P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R360P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

2.822En existencias

Cinta cortada

$2.251

$1.445

$972

$772

Envase tipo carrete

$687

$679

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

305 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
1: $3.606
5.931En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R105P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R105P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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5.931En existencias

Cinta cortada

$3.606

$2.710

$2.184

$2.061

Envase tipo carrete

$2.038

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

33 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 40 C

+ 150 C

137 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB21N50C3
Infineon Technologies
1: $3.662
1.452En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPB21N50C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPB21N50C3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3

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Hoja de datos

1.452En existencias

Cinta cortada

$3.662

$2.766

$2.229

$2.106

Envase tipo carrete

$1.915

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

21 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE

IPD80R2K7C3AATMA1
Infineon Technologies
1: $2.173
5.318En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R2K7C3AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K7C3AATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE

Hoja de datos

5.318En existencias

Cinta cortada

$2.173

$1.389

$936

$753

$680

Envase tipo carrete

$647

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

2.7 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

16 nC

- 40 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
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600 V

22 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

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- 20 V, 20 V

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1 Channel

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61 A

45 mOhms

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3.5 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

201 W

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Infineon CoolMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
HDSOP-10
HDSOP-22
HSOF-8
LHSOF-4
PG-HDSOP-16
PG-HDSOP-22
PG-HSOF-8
PG-TO247-3
PG-TO247-4
SOT-223-3
TDFN-8
ThinPAK-5
ThinPAK-56-8
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247-3
TO-247-4
TO-251-3

1.5 A
1.7 A
1.9 A
2 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
3 A
3.1 A
3.2 A
3.6 A
3.7 A
3.9 A
4 A
4.4 A
4.5 A
5 A
5.4 A
5.7 A
6 A

8 mOhms
10 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
18 mOhms
19 mOhms
22 mOhms
24 mOhms
25 mOhms
26 mOhms
30 mOhms
33 mOhms
34 mOhms
35 mOhms
37 mOhms
40 mOhms
43 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
50 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.3 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.7 nC
6.8 nC
7.5 nC
8.2 nC
9 nC
9.4 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
12 nC
12.4 nC
13 nC
13.1 nC

500 mW
5 W
6 W
6.2 W
6.9 W
7 W
7.1 W
7.2 W
13 W
18 W
18.1 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
25 W
25.7 W
26 W
26.4 W