STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
Hoja de datos
1.723En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 18.5 A 299 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5
Hoja de datos

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 19.5 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh
Hoja de datos
1.993En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH
Hoja de datos
1.813En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 2.5 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET
Hoja de datos

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 88 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 57 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 100 V, 3.2 mOhm typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 p
Hoja de datos

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 93 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
Hoja de datos

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 290 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 21.5 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2
Hoja de datos

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 186 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
Hoja de datos
3.070En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 750 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 115 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
Hoja de datos

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 72 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A
Hoja de datos

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 117 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
Hoja de datos

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 65 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH
Hoja de datos
1.571En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6.2 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 46 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450 Volt 0.4 A
Hoja de datos
3.986En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 450 V 400 mA 4.1 Ohms - 30 V, 30 V 2.3 V 10 nC - 65 C + 150 C 2 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 100V-0.22ohms 6A
Hoja de datos
4.939En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 100 V 6 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 14 nC - 65 C + 175 C 30 W Enhancement STripFET Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
Hoja de datos

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 158 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 50 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
Hoja de datos

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 40 A 88 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 89 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp
Hoja de datos
529En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
Hoja de datos

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 6 A 910 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
Hoja de datos

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 150 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
Hoja de datos

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 115 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 46 nC - 55 C + 150 C 223 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a
Hoja de datos

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 300 V 53 A 40 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 95 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
Hoja de datos

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 80 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 55 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFETs P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat
Hoja de datos

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 10 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6.4 nC - 55 C + 175 C 35 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
Hoja de datos

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 198 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel