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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Marca = STMicroelectronics

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5

STF7N80K5
STMicroelectronics
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STF7N80K5

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511-STF7N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

13.4 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF7N90K5
STMicroelectronics
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STF7N90K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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868En existencias

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

7 A

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- 30 V, 30 V

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17.7 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6AMDmesh K5

STF8N80K5
STMicroelectronics
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STF8N80K5

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511-STF8N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6AMDmesh K5

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$1.232

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

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- 30 V, 30 V

4 V

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- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP wide c

STFH18N60M2
STMicroelectronics
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STFH18N60M2

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STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP wide c

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$1.949

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$1.210

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

255 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

21.5 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr

STFH24N60M2
STMicroelectronics
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814En existencias

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STFH24N60M2

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STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr

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$2.274

$1.613

$1.355

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

168 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra n

STFU24N60M2
STMicroelectronics
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STFU24N60M2

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511-STFU24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra n

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$3.573

$1.792

$1.613

$1.310

$1.277

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

190 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-3PF packge

STFW12N120K5
STMicroelectronics
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STFW12N120K5

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511-STFW12N120K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-3PF packge

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$13.126

$9.173

$7.314

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TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

620 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

44.2 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package

STFW38N65M5
STMicroelectronics
1: $7.112
87En existencias

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STFW38N65M5

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511-STFW38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package

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87En existencias

$7.112

$5.454

$3.886

$3.472

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Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

95 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package

STFW3N170
STMicroelectronics
1: $6.944
219En existencias

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STFW3N170

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511-STFW3N170

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package

Hoja de datos

219En existencias

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$6.944

$4.021

$3.203

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

2.6 A

7 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package

STFW40N60M2
STMicroelectronics
1: $7.213
415En existencias

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STFW40N60M2

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511-STFW40N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package

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415En existencias

$7.213

$4.054

$3.293

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

600 V

34 A

78 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package

STFW8N120K5
STMicroelectronics
1: $8.165
56En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW8N120K5

N.º de artículo de Mouser
511-STFW8N120K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package

Hoja de datos

56En existencias

Más información disponible

$8.165

$6.037

$4.245

$3.842

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

6 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

13.7 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET

STH140N8F7-2
STMicroelectronics
1: $3.853
227En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH140N8F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH140N8F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET

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227En existencias

Cinta cortada

$3.853

$2.520

$1.758

$1.512

Envase tipo carrete

$1.411

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.0028 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac

STH170N8F7-2
STMicroelectronics
1: $3.024
61En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH170N8F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH170N8F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.0028 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac

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61En existencias

Cinta cortada

$3.024

$2.072

$1.758

$1.691

Envase tipo carrete

$1.590

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3.2 mOhm typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 p

STH200N10WF7-2
STMicroelectronics
1: $6.406
324En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH200N10WF7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH200N10WF7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3.2 mOhm typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 p

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324En existencias

Cinta cortada

$6.406

$4.290

$3.080

$3.013

Envase tipo carrete

$2.453

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

93 nC

- 55 C

+ 175 C

340 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

STH275N8F7-2AG
STMicroelectronics
1: $6.854
87En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH275N8F7-2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH275N8F7-2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

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87En existencias

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Cinta cortada

$6.854

$4.760

$3.438

Envase tipo carrete

$3.203

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

193 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 11mOhm 200A STripFET

STH320N4F6-6
STMicroelectronics
1: $5.555
548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH320N4F6-6

N.º de artículo de Mouser
511-STH320N4F6-6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 11mOhm 200A STripFET

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Hoja de datos

548En existencias

Cinta cortada

$5.555

$3.696

$2.632

$2.486

Envase tipo carrete

$2.330

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

240 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package

STH6N95K5-2
STMicroelectronics
1: $3.830
659En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH6N95K5-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH6N95K5-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package

Hoja de datos

659En existencias

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Cinta cortada

$3.830

$2.509

$1.747

$1.512

Envase tipo carrete

$1.310

$1.221

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

950 V

6 A

1.25 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STHU47N60DM6AG
STMicroelectronics
1: $6.899
54En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STHU47N60DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STHU47N60DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

Obtenga más información

Hoja de datos

54En existencias

Cinta cortada

$6.899

$4.917

$3.696

Envase tipo carrete

$3.573

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

36 A

80 Ohms

- 25 V, 25 V

4.75 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V 0.015 Ohm 9A STripFET V

STL10N3LLH5
STMicroelectronics
1: $1.635
679En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL10N3LLH5

N.º de artículo de Mouser
511-STL10N3LLH5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V 0.015 Ohm 9A STripFET V

Hoja de datos

679En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

$1.635

$1.023

$680

$533

Envase tipo carrete

$424

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

N-Channel

1 Channel

30 V

9 A

19 mOhms

- 22 V, 22 V

1 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x

STL260N4LF7
STMicroelectronics
1: $3.539
896En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL260N4LF7

N.º de artículo de Mouser
511-STL260N4LF7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x

Obtenga más información

Hoja de datos

896En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

$3.539

$2.307

$1.602

$1.355

$1.310

Envase tipo carrete

$1.266

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.6 Ohm typ., 2.3 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3

STL3N65M2
STMicroelectronics
1: $1.590
1.305En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL3N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL3N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.6 Ohm typ., 2.3 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3

Hoja de datos

1.305En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

$1.590

$1.001

$665

$520

$474

Envase tipo carrete

$418

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8

N-Channel

1 Channel

650 V

2.3 A

1.6 Ohms

- 25 V, 25 V

2 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

MDmesh

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V, 48mOhms, 4A, STripFET H6 Power MOSFET

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1 Channel

30 V

4 A

56 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

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- 55 C

+ 150 C

2.4 W

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STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 9 mOhm typ., 57 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5

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60 V

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- 20 V, 20 V

2 V

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+ 150 C

62.5 W

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N-Channel

1 Channel

30 V

21 A

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D2PAK-3 (TO-263-3)
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H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.9 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V
5 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W