STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 70V 35A OmniFET
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4.599En existencias
5.000En pedido
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 70 V 35 A 28 mOhms 3 V 100 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement AEC-Q100 Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
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1.604En existencias
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: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3 A 2.4 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.27 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET
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2.651En existencias
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: 2.500

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.27 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 172 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II
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439En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 450 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 30 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 120 Amp
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936En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 120 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200 Volt 10 Amp
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583En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 9 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 31 nC - 65 C + 150 C 75 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 16 Amp
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1.276En existencias
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: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 16 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 7.3 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V STripFET 80A
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673En existencias
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: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 35 Amp
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1.087En existencias
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: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 38 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 55 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 1500V 2.5A Pwr MOSFET
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972En existencias
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: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 30 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.065 Ohm 30A STripFET 150W
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1.014En existencias
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: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 30 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 65 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.032Ohm 30A N-Channel
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1.238En existencias
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: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 40 mOhms - 18 V, 18 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 40 Amp
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832En existencias
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: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 30 mOhms - 15 V, 15 V 1 V 64 nC - 65 C + 175 C 150 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 75V
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643En existencias
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: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 160 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp
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487En existencias
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: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 135 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 200V 15A Pwr MOSFET
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2.035En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 15 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MESH OVERLAY Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET
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807En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 75 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET
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560En existencias
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: 1.000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 114.6 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 1.1 Ohm 200V 1A STripFET II
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5.529En existencias
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: 4.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 200 V 1 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 5.7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 Amp
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4.679En existencias
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: 4.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 60 V 4 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75 Volt 120 Amp
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730En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 218 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 200V 0.15 OHM - 15A
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880En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 15 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MESH OVERLAY Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET
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754En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 39 nC - 55 C + 175 C 25 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET
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821En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 30 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 50 Amp
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1.349En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 62 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement STripFET Tube