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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Marca = STMicroelectronics

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

STF43N60DM2
STMicroelectronics
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STF43N60DM2

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511-STF43N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

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- 25 V, 25 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STF57N65M5
STMicroelectronics
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STF57N65M5

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511-STF57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

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$6.216

$5.891

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

42 A

63 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5

STF6N95K5
STMicroelectronics
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STF6N95K5

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511-STF6N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

9 A

1.25 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH

STFW3N150
STMicroelectronics
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STFW3N150

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511-STFW3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH

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N-Channel

1 Channel

1.5 kV

2.5 A

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3 V

29.3 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

STFW4N150
STMicroelectronics
1: $7.437
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STFW4N150

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511-STFW4N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

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TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

4 A

7 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

STFW69N65M5
STMicroelectronics
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STFW69N65M5

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511-STFW69N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

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$10.494

$9.845

$8.949

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TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

45 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

143 nC

- 55 C

+ 150 C

79 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 800 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a

STH10N80K5-2AG
STMicroelectronics
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STH10N80K5-2AG

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: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

680 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

17.3 nC

- 55 C

+ 150 C

121 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in H2PAK-2 package

STH12N120K5-2
STMicroelectronics
1: $13.339
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STH12N120K5-2

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511-STH12N120K5-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in H2PAK-2 package

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$13.339

$9.274

$7.941

Envase tipo carrete

$6.474

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

620 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

44.2 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 0,62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in

STH13N120K5-2AG
STMicroelectronics
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STH13N120K5-2AG

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511-STH13N120K5-2AG

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$12.488

$8.658

$7.280

Envase tipo carrete

$6.798

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

690 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

44.2 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

STH275N8F7-6AG
STMicroelectronics
1: $6.070
985En existencias

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STH275N8F7-6AG

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511-STH275N8F7-6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

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$6.070

$4.054

$2.901

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

193 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 7.25 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET i

STH2N120K5-2AG
STMicroelectronics
1: $5.846
6.337En existencias
2.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STH2N120K5-2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH2N120K5-2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 7.25 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET i

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6.337En existencias

2.000En pedido

Cinta cortada

$5.846

$3.898

$2.789

$2.666

Envase tipo carrete

$2.486

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

1.5 A

10 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

STH315N10F7-2
STMicroelectronics
1: $5.813
804En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH315N10F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH315N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

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Cinta cortada

$5.813

$3.864

$2.766

$2.643

Envase tipo carrete

$2.408

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

STH315N10F7-6
STMicroelectronics
1: $5.656
2.061En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH315N10F7-6

N.º de artículo de Mouser
511-STH315N10F7-6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

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Cinta cortada

$5.656

$3.763

$2.688

$2.554

Envase tipo carrete

$2.408

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG

STL100N10F7
STMicroelectronics
1: $3.394
2.097En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL100N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG

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Cinta cortada

$3.394

$2.206

$1.523

$1.277

Envase tipo carrete

$1.187

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

100 V

19 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 5.2 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL100N8F7
STMicroelectronics
1: $3.304
7.245En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL100N8F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL100N8F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 5.2 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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Cinta cortada

$3.304

$2.139

$1.478

$1.232

$1.210

Envase tipo carrete

$1.142

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

46.8 nC

- 55 C

+ 175 C

120 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII

STL110N10F7
STMicroelectronics
1: $3.214
1.878En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL110N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL110N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII

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1.878En existencias

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Cinta cortada

$3.214

$2.083

$1.434

$1.187

Envase tipo carrete

$1.103

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

100 V

21 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 119 A STripFET F7 Power MOSFET i

STL117N4LF7AG
STMicroelectronics
1: $2.565
4.194En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL117N4LF7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL117N4LF7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 119 A STripFET F7 Power MOSFET i

Hoja de datos

4.194En existencias

Cinta cortada

$2.565

$1.445

$1.221

$1.142

$997

Envase tipo carrete

$671

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

40 V

119 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

27.6 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.9 mOhm typ., 55 A STripFET F6 Power MOSFET in

STL120N4F6AG
STMicroelectronics
1: $2.946
9.632En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL120N4F6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL120N4F6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.9 mOhm typ., 55 A STripFET F6 Power MOSFET in

Hoja de datos

9.632En existencias

Cinta cortada

$2.946

$1.904

$1.310

$1.049

$1.006

Envase tipo carrete

$980

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

55 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

96 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 3.15 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET

STL135N8F7AG
STMicroelectronics
1: $4.021
3.011En existencias
6.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STL135N8F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL135N8F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 3.15 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET

Hoja de datos

3.011En existencias

6.000En pedido

Cinta cortada

$4.021

$2.632

$1.837

$1.613

$1.546

Envase tipo carrete

$1.501

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

80 V

130 A

3.15 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

135 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET i

STL140N4F7AG
STMicroelectronics
1: $2.341
5.927En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL140N4F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL140N4F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET i

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Hoja de datos

5.927En existencias

Cinta cortada

$2.341

$1.501

$1.011

$804

$749

Envase tipo carrete

$712

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ., 140 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5

STL140N6F7
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145 A

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- 20 V, 20 V

2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

STripFET

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10 A

375 mOhms

- 25 V, 25 V

5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

MDmesh

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PowerFLAT-5x6-8

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650 V

15 A

240 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

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MDmesh

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60 V

20 A

5.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

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N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

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D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.9 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V
5 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
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21 W
22 W